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AP9A116L-12QC

Standard SRAM, 128KX24, 12ns, CMOS, PQFP100

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明
QFP,
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
12 ns
JESD-30 代码
R-PQFP-G100
内存密度
3145728 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
24
功能数量
1
端子数量
100
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
128KX24
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QFP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
GULL WING
端子位置
QUAD
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参数对比
与AP9A116L-12QC相近的元器件有:AP9A116L-12BC、AP9A116-12BC、AP9A116L-15BC、AP9A116L-15QC、AP9A116-15QC、AP9A116-12QC、AP9A116-15BC。描述及对比如下:
型号 AP9A116L-12QC AP9A116L-12BC AP9A116-12BC AP9A116L-15BC AP9A116L-15QC AP9A116-15QC AP9A116-12QC AP9A116-15BC
描述 Standard SRAM, 128KX24, 12ns, CMOS, PQFP100 Standard SRAM, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119 Standard SRAM, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119 Standard SRAM, 128KX24, 15ns, CMOS, PBGA119 Standard SRAM, 128KX24, 15ns, CMOS, PQFP100 Standard SRAM, 128KX24, 15ns, CMOS, PQFP100 Standard SRAM, 128KX24, 12ns, CMOS, PQFP100 Standard SRAM, 128KX24, 15ns, CMOS, PBGA119
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 12 ns 12 ns 12 ns 15 ns 15 ns 15 ns 12 ns 15 ns
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119
内存密度 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 24 24 24 24 24 24 24 24
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 119 119 119 100 100 100 119
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX24 128KX24 128KX24 128KX24 128KX24 128KX24 128KX24 128KX24
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY FLATPACK FLATPACK FLATPACK GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING BALL BALL BALL GULL WING GULL WING GULL WING BALL
端子位置 QUAD BOTTOM BOTTOM BOTTOM QUAD QUAD QUAD BOTTOM
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) - Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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