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AT24C512BN-SH25-T

64K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
64K × 8 I2C/2-线 串行 电可擦除只读存储器, PDSO8

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Atmel (Microchip)

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AT24C512BN-SH25-T 在线购买

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器件:AT24C512BN-SH25-T

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Atmel (Microchip)
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP, SOP8,.25
针数
8
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大时钟频率 (fCLK)
0.4 MHz
数据保留时间-最小值
40
耐久性
1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节
1010DDDR
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e4
长度
4.9 mm
内存密度
524288 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端子数量
8
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
2/5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
串行总线类型
I2C
最大待机电流
0.000001 A
最大压摆率
0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
1.8 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
宽度
3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)
5 ms
写保护
HARDWARE
Base Number Matches
1
参数对比
与AT24C512BN-SH25-T相近的元器件有:AT24C512B-W-113、AT24C512BN-SH-B、AT24C512BN-SH-T、AT24C512BW-SH-B、AT24C512BW-SH-T、AT24C512BY7-YH25-T。描述及对比如下:
型号 AT24C512BN-SH25-T AT24C512B-W-113 AT24C512BN-SH-B AT24C512BN-SH-T AT24C512BW-SH-B AT24C512BW-SH-T AT24C512BY7-YH25-T
描述 64K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 64K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 64K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 64K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 64K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 64K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 64K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8
组织 64KX8 64K X 8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
表面贴装 YES Yes YES YES YES YES YES
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Atmel (Microchip) - Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip)
零件包装代码 SOIC - SOIC SOIC SOIC SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 - SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.3 SOP, SOP8,.3 HVSON, SOLCC8,.25
针数 8 - 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknown - unknown unknown compliant compliant unknown
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz - 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 40 - 40 40 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR - 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e4 - e4 e4 e4 e4 e4
长度 4.9 mm - 4.9 mm 4.9 mm 5.29 mm 5.29 mm 6 mm
内存密度 524288 bit - 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 EEPROM - EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
湿度敏感等级 1 - 1 1 1 1 -
字数 65536 words - 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 - 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP - SOP SOP SOP SOP HVSON
封装等效代码 SOP8,.25 - SOP8,.25 SOP8,.25 SOP8,.3 SOP8,.3 SOLCC8,.25
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行 SERIAL - SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260 260 260 -
电源 2/5 V - 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm - 1.75 mm 1.75 mm 2.16 mm 2.16 mm 0.6 mm
串行总线类型 I2C - I2C I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 0.000001 A - 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A
最大压摆率 0.003 mA - 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - 40 40 40 40 -
宽度 3.9 mm - 3.9 mm 3.9 mm 5.24 mm 5.24 mm 4.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms - 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE - HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE
Base Number Matches 1 - 1 1 1 1 1
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