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AT25HP512CI-10CI-1.8

EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, 8 X 5 MM, 1.04 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LAP-8

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Atmel (Microchip)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Atmel (Microchip)
零件包装代码
SOIC
包装说明
SON, SOLCC8,.3
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最大时钟频率 (fCLK)
2 MHz
数据保留时间-最小值
40
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-XDSO-N8
JESD-609代码
e0
长度
8 mm
内存密度
524288 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
8
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64KX8
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
SON
封装等效代码
SOLCC8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
240
电源
2/5 V
认证状态
Not Qualified
串行总线类型
SPI
最大待机电流
0.000002 A
最大压摆率
0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
1.8 V
标称供电电压 (Vsup)
2.7 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
5 mm
最长写入周期时间 (tWC)
10 ms
写保护
HARDWARE/SOFTWARE
参数对比
与AT25HP512CI-10CI-1.8相近的元器件有:AT25HP512CI-10CI-2.7。描述及对比如下:
型号 AT25HP512CI-10CI-1.8 AT25HP512CI-10CI-2.7
描述 EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, 8 X 5 MM, 1.04 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LAP-8 EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, 8 X 5 MM, 1.04 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LAP-8
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 SOIC SOIC
包装说明 SON, SOLCC8,.3 SON, SOLCC8,.3
针数 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 2 MHz 5 MHz
数据保留时间-最小值 40 40
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-XDSO-N8 R-XDSO-N8
JESD-609代码 e0 e0
长度 8 mm 8 mm
内存密度 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 64KX8 64KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SON SON
封装等效代码 SOLCC8,.3 SOLCC8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240
电源 2/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
串行总线类型 SPI SPI
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A
最大压摆率 0.01 mA 0.01 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 2.7 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
宽度 5 mm 5 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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