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首页 > 器件类别 > 二极管 > PIN 二极管

BAR64-06E6327

Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, SOT-23, 3 PIN

器件类别：二极管    PIN 二极管   

厂商名称：Infineon(英飞凌)

厂商官网：http://www.infineon.com/

器件标准：  

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
零件包装代码
SOT-23
包装说明
R-PDSO-G3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
其他特性
HIGH VOLTAGE
应用
ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压
200 V
配置
COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容
0.35 pF
标称二极管电容
0.17 pF
二极管元件材料
SILICON
最大二极管正向电阻
20 Ω
二极管电阻测试电流
1 mA
二极管电阻测试频率
100 MHz
二极管类型
PIN DIODE
频带
S BAND
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
少数载流子标称寿命
1.55 µs
湿度敏感等级
1
元件数量
2
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
最大功率耗散
0.25 W
认证状态
Not Qualified
反向测试电压
表面贴装
YES
技术
POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
Base Number Matches
1
文档预览
BAR64...
Silicon PIN Diode
•
High voltage current controlled RF resistor
for RF attenuator and switches
•
Frequency range above 1 MHz up to 6 GHz
•
Very low capacitance at zero volt reverse bias
at frequencies above 1 GHz (typ. 0.17 pF)
•
Low forward resistance (typ. 2.1
Ω
@ 10 mA)
•
Very low signal distortion
•
Pb-free (RoHS compliant) package
•
Qualified according AEC Q101
1)
BAR64-02EL
BAR64-02V
BAR64-03W
BAR64-04
BAR64-04W
!
BAR64-05
BAR64-05W
!
BAR64-06
BAR64-06W
!

, 
,
, 
,
, 
,



Type
BAR64-02EL*
BAR64-02V
BAR64-03W
BAR64-04
BAR64-04W
BAR64-05
BAR64-05W
BAR64-06
BAR64-06W
1
*BAR64-02EL
Package
TSLP-2-19
SC79
SOD323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
Configuration
single, leadless
single
single
series
series
common cathode
common cathode
common anode
common anode
L
S
(nH)
0.4
0.6
1.8
1.8
1.4
1.8
1.4
1.8
1.4
Marking
OE
O
blue 2
PPs
PPs
PRs
PRs
PSs
PSs
is not qualified according AEC Q101
1
2013-06-10
BAR64...
Maximum Ratings
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Diode reverse voltage
Forward current
Total power dissipation
BAR64-02EL,
T
S
≤
135 °C
BAR64-02V,
T
S
≤
125 °C
BAR64-03W,
T
S
≤
25 °C
BAR64-04, -05, -06,
T
S
≤
65 °C
BAR64-04W, -05W, -06W,
T
S
≤
115 °C
Junction temperature
Operating temperature range
Storage temperature
Thermal Resistance
Parameter
Junction - soldering point
1)
BAR64-02EL
BAR64-02V, -04W, -05W, -06W
BAR64-03W
BAR64-04, -05, -06
Symbol
R
thJS
Symbol
V
R
I
F
P
tot
Value
150
100
250
250
250
250
250
Unit
V
mA
mW
T
j
T
op
T
stg
150
-55 ... 125
-55 ... 150
°C
Value
≤
60
≤
140
≤
370
≤
340
Unit
1
For calculation of
R
thJA please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
DC Characteristics
Breakdown voltage
I
(BR)
= 5 µA
Forward voltage
I
F
= 50 mA
V
F
-
-
1.1
V
(BR)
150
-
-
typ.
max.
Unit
V
2
2013-06-10
BAR64...
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
AC Characteristics
Diode capacitance
V
R
= 20 V,
f
= 1 MHz
V
R
= 0 V,
f
= 100 MHz
V
R
= 0 V,
f
= 1...1.8 GHz, BAR64-02EL
V
R
= 0 V, f = 1...1.8 GHz, all other
Reverse parallel resistance
V
R
= 0 V,
f
= 100 MHz
V
R
= 0 V,
f
= 1 GHz
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz
Forward resistance
I
F
= 1 mA,
f
= 100 MHz
I
F
= 10 mA,
f
= 100 MHz
I
F
= 100 mA,
f
= 100 MHz
Charge carrier life time
I
F
= 10 mA,
I
R
= 6 mA, measured at
I
R
= 3 mA,
R
L
= 100
Ω
I-region width
Insertion loss
1)
I
F
= 3 mA,
f
= 1.8 GHz
I
F
= 5 mA,
f
= 1.8 GHz
I
F
= 10 mA,
f
= 1.8 GHz
Isolation
1)
V
R
= 0 V,
f
= 0.9 GHz
V
R
= 0 V,
f
= 1.8 GHz
V
R
= 0 V,
f
= 2.45 GHz
V
R
= 0 V,
f
= 5.6 GHz
1
BAR64-02EL
Symbol
min.
C
T
-
-
-
-
R
P
-
-
-
r
f
-
-
-
τ
rr
Values
typ.
max.
Unit
pF
0.23
0.3
0.13
0.17
10
4
3
12.5
2.1
0.85
1550
0.35
-
-
-
k
Ω
-
-
-
Ω
20
2.8
1.35
-
ns
-
W
I
I
L
-
-
-
-
50
0.32
0.23
0.16
22
17
14.5
8.5
-
-
-
-
-
-
-
-
µm
dB
I
SO
-
-
-
-
in series configuration,
Z
= 50
Ω
3
2013-06-10
BAR64...
Diode capacitance
C
T
=
ƒ
(V
R
)
f
= Parameter
0.7
Reverse parallel resistance
R
P
=
ƒ
(V
R
)
f
= Parameter
10
4
KOhm
pF
10
3
100 MHz
1 GHz
1.8 GHz
C
T
R
p
1 MHz
100 MHz
1 GHz
1.8 GHz
V
0.5
10
2
0.4
10
1
0.3
10
0
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
12
14
16
20
10
-1
0
5
10
15
20
25
30
V
40
V
R
V
R
Forward resistance
r
f
=
ƒ
(I
F
)
f
= 100MHz
10
3
Ohm
Forward current
I
F
=
ƒ
(V
F
)
T
A
= Parameter
10
0
A
10
-1
10
2
R
F
10
-2
10
1
I
F
10
-3
10
-4
10
0
10
-5
-40 °C
25 °C
85 °C
125 °C
10
-1 -2
10
10
-1
10
0
10
1
mA
10
2
10
-6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
1.2
I
F
V
F
4
2013-06-10
BAR64...
Intermodulation intercept point
IP
3
=
ƒ
(I
F
);
f
= Parameter
10
2
Forward current
I
F
=
ƒ
(T
S
)
BAR64-02EL
120
mA
f=900MHz
f=1800MHz
IP
3
I
F
dBm
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
10
1 -1
10
10
0
mA
10
1
0
0
30
60
90
120
°C
165
I
F
T
S
Forward current
I
F
=
ƒ
(T
S
)
BAR64-02V
120
mA
Forward current
I
F
=
ƒ
(T
S
)
BAR64-04, BAR64-05, BAR64-06
120
mA
100
90
80
100
90
80
I
F
70
60
50
40
30
20
10
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
I
F
70
60
50
40
30
20
10
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
5
2013-06-10
查看更多>
参数对比
与BAR64-06E6327相近的元器件有：BAR64-07E6327、BAR64-04E6327、BAR64-03WE6327、BAR64-05E6327、BAR64-05E6433。描述及对比如下：
型号 BAR64-06E6327 BAR64-07E6327 BAR64-04E6327 BAR64-03WE6327 BAR64-05E6327 BAR64-05E6433
描述 Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, SOT-23, 3 PIN Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, SOT-23, 3 PIN Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, SOT-23, 3 PIN Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G4 R-PDSO-G3 R-PDSO-G2 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH VOLTAGE HIGH VOLTAGE HIGH VOLTAGE HIGH VOLTAGE HIGH VOLTAGE HIGH VOLTAGE
应用 ATTENUATOR; SWITCHING ATTENUATOR; SWITCHING ATTENUATOR; SWITCHING ATTENUATOR; SWITCHING ATTENUATOR; SWITCHING ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS SINGLE COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容 0.35 pF 0.35 pF 0.35 pF 0.35 pF 0.35 pF 0.35 pF
标称二极管电容 0.17 pF 0.17 pF 0.17 pF 0.17 pF 0.17 pF 0.17 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大二极管正向电阻 20 Ω 20 Ω 20 Ω 20 Ω 20 Ω 20 Ω
二极管电阻测试电流 1 mA 1 mA 1 mA 1 mA 1 mA 1 mA
二极管电阻测试频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
二极管类型 PIN DIODE PIN DIODE PIN DIODE PIN DIODE PIN DIODE PIN DIODE
频带 S BAND S BAND S BAND S BAND S BAND S BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G4 R-PDSO-G3 R-PDSO-G2 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
少数载流子标称寿命 1.55 µs 1.55 µs 1.55 µs 1.55 µs 1.55 µs 1.55 µs
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1
元件数量 2 2 2 1 2 2
端子数量 3 4 3 2 3 3
最高工作温度 150 °C 125 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260
最大功率耗散 0.25 W 0.25 W 0.25 W 0.25 W 0.25 W 0.25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40 40
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
零件包装代码 SOT-23 - SOT-23 - SOT-23 SOT-23
针数 3 - 3 - 3 3
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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