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BAS116V_08

0.215 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
0.215 A, 85 V, 2 组成, 硅, 信号二极管

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Diodes

厂商官网:http://www.diodes.com/

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
6
元件数量
2
加工封装描述
GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
无铅
Yes
欧盟RoHS规范
Yes
中国RoHS规范
Yes
状态
ACTIVE
包装形状
RECTANGULAR
包装尺寸
SMALL OUTLINE
表面贴装
Yes
端子形式
FLAT
端子涂层
MATTE TIN
端子位置
DUAL
包装材料
PLASTIC/EPOXY
结构
SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
最大功耗极限
0.1500 W
二极管类型
SIGNAL DIODE
反向恢复时间最大
3 us
最大重复峰值反向电压
85 V
最大平均正向电流
0.2150 A
参数对比
与BAS116V_08相近的元器件有:BAS116V。描述及对比如下:
型号 BAS116V_08 BAS116V
描述 0.215 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE 0.215 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
端子数量 6 6
元件数量 2 2
加工封装描述 GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
中国RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 FLAT FLAT
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN
端子位置 DUAL DUAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
最大功耗极限 0.1500 W 0.1500 W
二极管类型 SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE
反向恢复时间最大 3 us 3 us
最大重复峰值反向电压 85 V 85 V
最大平均正向电流 0.2150 A 0.2150 A
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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