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BAS55235

DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
最大功率耗散
0.25 W
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
60 V
最大反向恢复时间
0.006 µs
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
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参数对比
与BAS55235相近的元器件有:BAS55212、BAS55215。描述及对比如下:
型号 BAS55235 BAS55212 BAS55215
描述 DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.25 W 0.25 W 0.25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 60 V 60 V 60 V
最大反向恢复时间 0.006 µs 0.006 µs 0.006 µs
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
厂商名称 - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
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