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BAV102112

DIODE 0.25 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
NXP(恩智浦)
包装说明
O-LELF-R2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.25 V
JESD-30 代码
O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流
9 A
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最大输出电流
0.25 A
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
最大功率耗散
0.4 W
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
200 V
最大反向电流
0.1 µA
最大反向恢复时间
0.05 µs
表面贴装
YES
端子形式
WRAP AROUND
端子位置
END
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参数对比
与BAV102112相近的元器件有:BAV101112、BAV100112、BAV103112。描述及对比如下:
型号 BAV102112 BAV101112 BAV100112 BAV103112
描述 DIODE 0.25 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.25 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
包装说明 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1.25 V 1.25 V 1.25 V
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2 O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流 9 A 9 A 9 A 9 A
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 0.25 A 0.25 A 0.25 A 0.25 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.4 W 0.4 W 0.4 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 120 V 60 V 250 V
最大反向电流 0.1 µA 0.1 µA 0.1 µA 0.1 µA
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END END END
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