首页 > 器件类别 > 半导体 > 分立半导体

BC817

500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
500 mA, 45 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:HTSEMI( Jin Yu Semiconductor )

厂商官网:http://www.htsemi.com

下载文档
BC817 在线购买

供应商:

器件:BC817

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
端子数量
3
晶体管极性
NPN
最大集电极电流
0.5000 A
最大集电极发射极电压
45 V
加工封装描述
SOT-23, 3 PIN
状态
CONSULT MFR
包装形状
矩形的
包装尺寸
SMALL OUTLINE
表面贴装
Yes
端子形式
GULL WING
端子涂层
锡 铅
端子位置
包装材料
塑料/环氧树脂
结构
单一的
元件数量
1
晶体管元件材料
最大环境功耗
0.2500 W
晶体管类型
通用小信号
最小直流放大倍数
100
额定交叉频率
100 MHz
文档预览
BC871
TRANSISTOR (NPN)
BC817-16
BC817-25
BC817-40
FEATURES
For general AF applications
High collector current
High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
Complementary types: BC807 (PNP)
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
SOT-23
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
50
45
5
0.5
0.3
150
-55-150
Units
V
V
V
A
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Collecter capactiance
Transition frequency
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
C
ob
f
T
Test
conditions
MIN
50
45
5
0.1
0.1
100
40
0.7
1.2
1.2
10
100
V
V
V
pF
MHz
600
MAX
UNIT
V
V
V
μA
μA
I
C
= 10μA, I
E
=0
I
C
= 10mA, I
B
=0
I
E
= 1μA, I
C
=0
V
CB
= 45 V , I
E
=0
V
EB
= 4V, I
C
=0
V
CE
= 1V, I
C
= 100mA
V
CE
= 1V, I
C
= 500mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
V
CE
= 1 V, I
C
= 500mA
V
CB
=10V ,f=1MHz
V
CE
= 5 V,
f=100MHz
I
C
= 10mA
CLASSIFICATION OF
Rank
Range
Marking
h
FE
(1)
BC817-16
100-250
6A
BC817-25
160-400
6B
BC817-40
250-600
6C
1 
JinYu
semiconductor
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
BC871
Typical Characteristics
2 
JinYu
semiconductor
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
查看更多>
参数对比
与BC817相近的元器件有:BC817-16、BC817-25、BC817-40。描述及对比如下:
型号 BC817 BC817-16 BC817-25 BC817-40
描述 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 3 3 3 3
晶体管极性 NPN NPN NPN NPN
最大集电极电流 0.5000 A 0.5000 A 0.5000 A 0.5000 A
最大集电极发射极电压 45 V 45 V 45 V 45 V
加工封装描述 SOT-23, 3 PIN SOT-23, 3 PIN 绿色, 塑料 PACKAGE-3 SOT-23, 3 PIN
状态 CONSULT MFR TRANSFERRED DISCONTINUED DISCONTINUED
包装形状 矩形的 矩形的 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的 单一的 单一的
元件数量 1 1 1 1
晶体管元件材料
最大环境功耗 0.2500 W 0.3300 W 0.3000 W 0.3300 W
晶体管类型 通用小信号 通用小信号 通用小信号 通用小信号
最小直流放大倍数 100 60 160 250
额定交叉频率 100 MHz 170 MHz 100 MHz 200 MHz
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
需要登录后才可以下载。
登录取消