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BC817-25

额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:45V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=45V,Ic=0.5A,hfe=160~400

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:长电科技(JCET)

厂商官网:http://www.cj-elec.com/

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器件:BC817-25

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
长电科技(JCET)
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknown
最大集电极电流 (IC)
0.5 A
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
160
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.2 W
表面贴装
YES
文档预览
TRANSISTOR (NPN)
1. BASE
For general AF applications
High collector current
High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
Complementary types: BC807 (PNP)
2. EMITTER
3. COLLECTOR
a
50
45
5
0.5
0.3
150
-55-150
V
V
V
A
W
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
a
in
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE
C
ob
f
T
I
C
= 10μA, I
E
=0
I
C
= 10mA, I
B
=0
I
E
= 1μA, I
C
=0
V
CB
= 45 V , I
E
=0
V
EB
= 4V, I
C
=0
V
CE
= 1V, I
C
= 100mA
V
CE
= 1V, I
C
= 500mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
V
CE
= 1 V, I
C
= 500mA
V
CB
=10V ,f=1MHz
V
CE
= 5 V, I
C
= 10mA
f=100MHz
100
10
100
40
0.7
1.2
1.2
V
V
V
pF
MHz
50
45
5
0.1
0.1
600
Typ
ax
Unit
V
V
V
μA
μA
h
FE
C,Aug,2013
Typical Characteristics
280
BC817
h
FE
—— I
C
T
a
=100 C
o
Static Characteristic
1mA
0.9mA
0.8mA
COMMON
EMITTER
T
a
=25
0.7mA
0.6mA
0.5mA
500
(mA)
240
400
COLLECTOR CURRENT
DC CURRENT GAIN
200
h
FE
300
I
C
160
T
a
=25 C
o
120
0.4mA
0.3mA
0.2mA
200
80
40
I
B
=0.1mA
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
100
1
10
100
V
CE
= 1V
500
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT
I
C
(mA)
1.2
V
BEsat
—— I
C
β=10
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE V
CEsat
(V)
0.4
V
CEsat
——
I
C
β=10
BASE-EMITTER SATURATION
VOLTAGE V
BEsat
(V)
1.0
0.3
0.8
T
a
=25
0.2
0.6
T
a
=100
0.4
0.1
T
a
=100
T
a
=25
0.2
0.1
1
10
100
500
0.0
0.1
1
10
100
500
COLLECTOR CURRENT
I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT
I
C
(mA)
500
I
C
——
V
BE
100
C
ob
/ C
ib
——
V
CB
/
V
EB
f=1MHz
I
E
=0 / I
C
=0
T
a
=25 C
C
ib
o
I
C
(mA)
50
100
COLLECTOR CURRENT
10
CAPACITANCE
T
a
=100 C
T
a
=25
o
C
10
1
(pF)
C
ob
V
CE
=1V
0.1
0.3
1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
5
10
BASE-EMITTER VOLTAGE
V
BE
(V)
REVERSE VOLTAGE
V
(V)
300
f
T
——
I
C
COLLECTOR POWER DISSIPATION
P
c
(W)
0.4
P
c
——
T
a
(MHz)
0.3
f
T
TRANSITION FREQUENCY
100
0.2
0.1
V
CE
=5V
T
a
=25 C
10
1
10
60
0.0
0
25
50
75
100
125
150
o
COLLECTOR CURRENT
I
C
(mA)
AMBIENT TEMPERATURE
T
a
(
)
C,Aug,2013
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