首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

BLF6G27-10G

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:安谱隆(Ampleon)

厂商官网:http://www.ampleon.com/

下载文档
BLF6G27-10G 在线购买

供应商:

器件:BLF6G27-10G

价格:-

最低购买:-

库存:点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
包装说明
SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
65 V
最大漏极电流 (ID)
3.5 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带
S BAND
JESD-30 代码
R-CDSO-G2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1