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BU808

8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:FUJI

厂商官网:http://www.fujielectric.co.jp/eng/fdt/scd/

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参数对比
与BU808相近的元器件有:KBU810、KBU806、KBU808、KBU804、KBU802、KBU801、KBU8005。描述及对比如下:
型号 BU808 KBU810 KBU806 KBU808 KBU804 KBU802 KBU801 KBU8005
描述 8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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