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BYV32-100

18 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Vishay(威世)

厂商官网:http://www.vishay.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Vishay(威世)
Reach Compliance Code
unknow
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.15 V
最大非重复峰值正向电流
150 A
最高工作温度
150 °C
最大输出电流
18 A
最大重复峰值反向电压
100 V
最大反向恢复时间
0.025 µs
表面贴装
NO
参数对比
与BYV32-100相近的元器件有:BYV32-150、BYV32-200、BYV32-50、BYV32_08。描述及对比如下:
型号 BYV32-100 BYV32-150 BYV32-200 BYV32-50 BYV32_08
描述 18 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 18 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 18 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 18 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) -
Reach Compliance Code unknow unknow unknown unknow -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1.15 V 1.15 V 1.15 V 1.15 V -
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A 150 A -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
最大输出电流 18 A 18 A 18 A 18 A -
最大重复峰值反向电压 100 V 150 V 200 V 50 V -
最大反向恢复时间 0.025 µs 0.025 µs 0.025 µs 0.025 µs -
表面贴装 NO NO NO NO -
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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