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CSD-4MLEADFREE

Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, DPAK-3

器件类别：模拟混合信号IC    触发装置   

厂商名称：Central Semiconductor

器件标准：  

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
TO-252
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数
3
Reach Compliance Code
not_compliant
外壳连接
ANODE
配置
SINGLE
最大直流栅极触发电流
0.2 mA
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
认证状态
Not Qualified
最大均方根通态电流
4 A
断态重复峰值电压
600 V
重复峰值反向电压
600 V
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN (315)
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
10
触发设备类型
SCR
Base Number Matches
1
文档预览
CSD-4M
CSD-4N
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
4.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSD-4M and
CSD-4N are epoxy molded SCRs designed for sensing
circuit and control system applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
DPAK CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
CSD-4M
Peak Repetitive Off-State Voltage
VDRM, VRRM
600
RMS On-State Current (TC=85°C)
IT(RMS)
4.0
Peak One Cycle Surge Current, t=10ms
I
2
t Value for Fusing, t=10ms
Peak Gate Power, tp=20μs
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current, tp=20μs
Critical Rate of Rise of On-State Current
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
ELECTRICAL
SYMBOL
IDRM, IRRM
IDRM, IRRM
IGT
IH
VGT
VTM
dv/dt
ITSM
I
2
t
PGM
PG (AV)
IGM
di/dt
TJ
Tstg
30
4.5
3.0
0.2
1.2
50
CSD-4N
800
UNITS
V
A
A
A
2
s
W
W
A
A/μs
°C
°C
-40 to +125
-40 to +150
CHARACTERISTICS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
Rated VDRM, VRRM, RGK=1KΩ
Rated VDRM, VRRM, RGK=1KΩ, TC=125°C
VD=12V, RL=10Ω
IT=50mA, RGK=1KΩ
VD=12V, RL=10
ITM=8.0A, tp=380μs
VD=
2
/
3
VDRM, RGK=1KΩ, TC=125°C
10
20
38
0.25
0.55
1.6
MAX
10
200
200
2.0
0.8
1.8
UNITS
μA
μA
μA
mA
V
V
V/μs
R2 (21-January 2013)
CSD-4M
CSD-4N
SURFACE MOUNT
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
4.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT
DPAK CASE - MECHANICAL OUTLINE
LEAD CODE:
1) Cathode
2) Anode
3) Gate
4) Anode
MARKING:
FULL PART NUMBER
R2 (21-January 2013)
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参数对比
与CSD-4MLEADFREE相近的元器件有：CSD-4MBKTIN/LEAD、CSD-4MTR13LEAFREE、CSD-4MTR13TIN/LEAD、CSD-4NBKLEADFREE、CSD-4NBKTIN/LEAD、CSD-4NTR13LEADFREE、CSD-4NTR13TIN/LEAD、CSD-4NLEADFREE。描述及对比如下：
型号 CSD-4MLEADFREE CSD-4MBKTIN/LEAD CSD-4MTR13LEAFREE CSD-4MTR13TIN/LEAD CSD-4NBKLEADFREE CSD-4NBKTIN/LEAD CSD-4NTR13LEADFREE CSD-4NTR13TIN/LEAD CSD-4NLEADFREE
描述 Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, DPAK-3 Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 800V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 800V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, DPAK-3
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合 符合
Reach Compliance Code not_compliant unknown compliant unknown compliant unknown compliant unknown not_compliant
最大直流栅极触发电流 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 600 V 600 V 600 V 600 V 800 V 800 V 800 V 800 V 800 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 1
厂商名称 - Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor -
关态电压最小值的临界上升速率 - 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us -
最大直流栅极触发电压 - 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V -
最大维持电流 - 2 mA 2 mA 2 mA 2 mA 2 mA 2 mA 2 mA -
最大漏电流 - 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA -
通态非重复峰值电流 - 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A -
最大通态电流 - 4000 A 4000 A 4000 A - 4000 A - 4000 A -
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