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CY27C010-150DMB

OTP ROM, 128KX8, 150ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Rochester Electronics

厂商官网:https://www.rocelec.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Rochester Electronics
包装说明
DIP,
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
150 ns
JESD-30 代码
R-GDIP-T32
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
OTP ROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
128KX8
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
DUAL
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参数对比
与CY27C010-150DMB相近的元器件有:CY27C010-90LMB、CY27C010-120DMB、CY27C010-200DMB、CY27C010-200LMB。描述及对比如下:
型号 CY27C010-150DMB CY27C010-90LMB CY27C010-120DMB CY27C010-200DMB CY27C010-200LMB
描述 OTP ROM, 128KX8, 150ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 OTP ROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, HERMETIC SEALED, LCC-32 OTP ROM, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CQCC32, HERMETIC SEALED, LCC-32
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 DIP, QCCN, DIP, DIP, QCCN,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 150 ns 90 ns 120 ns 200 ns 200 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T32 R-CQCC-N32 R-GDIP-T32 R-GDIP-T32 R-CQCC-N32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP QCCN DIP DIP QCCN
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD
端子位置 DUAL QUAD DUAL DUAL QUAD
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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