European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 475 N
70mm² Cu
Type
N
K
Circuit
symbol
Cathode
Rope
Case
Anode
Case
Rope
Prot. flex.
tubing
red
blue
ø3,2 x 15
SW41
12,5
M24 x 1,5
VW K July 1996
D 475 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Periodische Spitzensperrspannung
Maximum rated values
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C... t
vj max
V
RRM
3200, 3600
4000
V
V
V
A
A
kA
kA
kA
2
s
kA
2
s
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C... t
vj max
RMS forward current
mean forward current
surge forward current
I
2
t-value
t
c
= 100 °C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
V
RSM
= V
RRM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I
2
t
+ 100
745
475
12,8
10,9
819
594
Grenzlastintegral
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
reverse current
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 1,4 kA
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
V
T
V
T(TO)
r
T
i
R
max.
max.
1,78
0,765
0,612
40
V
V
mΩ
mA
Thermische Eigenschaften
Innerer Widerstand
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
Θ
= 180° sin
DC
ohne Anschlußlasche/without contact lug
mit Anschlußlasche/with contact lug
R
thJC
max.
max.
0,085 °C/W
0,080 °C/W
0,03 °C/W
0,04 °C/W
160
-40...+160
-40...+160
°C
°C
°C
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink
R
thCK
max.
max.
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
t
vj max
t
c op
t
stg
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Anzugsdrehmoment
Gewicht
Kriechstrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
Maßbild
Polarität
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
tightening torque
weight
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
outline
polarity
DIN 40040
f = 50 Hz
50
Seite/page
Anode=Gehäuse/case
∅
= 34 mm
Gehäuseform/case design B
M
G
60
590
21
Nm
g
mm
C
m/s
2
D 475 N
2,0
1,0
i
F
[kA]
1,5
⌠
i²dt
0,9
⌡
(normiert)
0,8
1,0
0,7
0,6
0,5
0,5
0
0
D 475N_1
0,5
1,0
1,5
v
F
[V]
2,0
2,5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D475K_4
t
p
[ms]
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic i
F
= f (v
F
)
t
vj
= 160 °C
t
vj
= 25 °C
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t
∫i²dt
= f(t
p
)
14
I
F(0V)M
I
F(0V)M
v
R
14
I
F(0V)M
[kA] 12
v
R
12
I
F(0V)M
[kA]
10
10
8
1a
2a
6
1b
1c
8
1a
2a
6
1b
1c
4
2b
2c
4
2b
2c
2
2
0
0
D475N_5
0
0,1
0,2
t [s]
0,3
0
D475N_6
0,1
0,2
t [s]
0,3
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 475 A; t
C
= 100 °C; t
vj
= 160 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 475 A; t
C
= 100 °C; t
vj
= 160 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
D 475 N
0,03
10
4
9
Θ
T
8
7
6
5
4
i
FM
[A]
∆
R
thJC
[°C/W]
0,02
Qr
[
µ
As]
3
2
1600
800
400
200
100
50
Θ
T
10
3
9
8
7
6
5
0,01
4
3
2
Θ
T
0
30
D475N_3
10
2
60
90
120
150
Θ
[°el]
180
0,1
D 475N_7
1
10
-di
F
/dt
[A/µs]
100
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di
F
/dt)
t
vj =
t
vjmax
; v
R
≤
0,5 V
RRM
; V
RM
= 0,8 V
RRM
Beschaltung / Snubber: C = 0,68 µF; R = 5,6
Ω
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i
FM
0,10
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
R
thn
°C/W
0,001
τ
n
[s]
0,01
2
0,0051
0,004
Z
(th)JC
[°C/W]
0,08
3
0,0086
0,0336
4
0,03
0,425
5
0,0353
2,51
6
7
Analytische Funktion / Analytical function:
0,06
n
max
Z
thJC
=
Σ
R
thn
(1-EXP(-t/
τ
n
))
n=1
0,04
0,02
0
10
-3
D 475N_2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t [s]
10
2
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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