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DB157S

1.5 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
1.5 A, 1000 V, 硅, 桥式整流二极管

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:DACHANG

厂商官网:http://www.dachang.com.cn

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器件:DB157S

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器件参数
参数名称
属性值
元件数量
4
端子数量
4
加工封装描述
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DB-S, 4 PIN
each_compli
Yes
欧盟RoHS规范
Yes
状态
Active
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
结构
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
最大正向电压
1.1 V
jesd_30_code
R-PDSO-G4
jesd_609_code
e3
moisture_sensitivity_level
NOT SPECIFIED
最大非重复峰值正向电流
40 A
相数
1
最小工作温度
-55 Cel
最大工作温度
150 Cel
最大输出电流
1.5 A
包装材料
PLASTIC/EPOXY
包装形状
RECTANGULAR
包装尺寸
SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_
265
qualification_status
COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压
1000 V
sub_category
Bridge Rectifier Diodes
表面贴装
YES
端子涂层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_
NOT SPECIFIED
dditional_feature
UL RECOGNIZED
文档预览
SIYU
R
表面安装桥式整流器
反向电压
50---1000V
正向电流
1. 5A
DBS
DB151S ...... DB157S
Surface Mount Bridge-Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000V
Forward Current 1.5 A
特征
Features
·高电流浪涌承受½力
High surge current Capability
·高温焊接保证High tempererature soldering guaranteed:
260℃/10
260℃/10 seconds
·引线和管½皆符合RoHS标准。
Lead and body according with RoHS standard
机械数据
Mechanical Data
·封装:
塑料封装
Case: Molded Plastic
·极性:
标记模压或印于本½
Polarity: Symbols molded or marked on body
·安装½½:
任意
Unit:inch(mm)
Mounting Position: Any
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Symbols
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
TC =100℃
最大正向平均整流电流
Maximum average forward rectified current
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
50
40
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
单½
Unit
V
V
V
A
A
℃/W
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJA
Tj, TSTG
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
典型热阻
Typical thermal resistance
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
-55--- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
最大正向电压
Maximum forward voltage
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S
1.1
10
500
25
单½
Unit
V
μA
I
F
= 1.5A
TA= 25℃
TA = 125℃
V
F
最大反向电流
Maximum reverse current
典型结电容
V
R
=
4.0V, f = 1MHz
Type junction capacitance
I
R
Cj
pF
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
SIYU
R
特性曲线
Characteristic Curves
正向特性曲线(典型值)
TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
DB151S ...... DB157S
正向电流降额曲线
FORWARD CURRENT DERATING CURVE
1.8
平均正向电流
I
F(AV)
(A)
Average Forward Rectified Current (A)
I
F(A)
I
F
Instantaneous Forward Current (A)
10
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
正向电流
I
F
(A)
1.0
0.1
0.01
T
j
= 25°C
0.001
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
正向电压 V
F
(V)
V
F
Instantaneous Forward Voltage (V)
0
25
50
75
100 125 150 175
环境温度 Ta(°C)
Tamb, ambient temperature (°C)
浪涌特性曲线(最大值)
MAXIMUM NON REPETITIVE
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
50
I
FSM
Peak Forward Surge Current (A)
40
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
30
20
10
0
1
2
4 6 10
20
40
100
通过电流的周期
Number of Cycles at 60 Hz.
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
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参数对比
与DB157S相近的元器件有:DB152S、DB155S、DB151S、DB151S_15、DB153S、DB154S、DB156S。描述及对比如下:
型号 DB157S DB152S DB155S DB151S DB151S_15 DB153S DB154S DB156S
描述 1.5 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
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