DCR1020SF60

Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6000V V(DRM),

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Microsemi

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

标称电路换相断开时间

600 µs

关态电压最小值的临界上升速率

1000 V/us

最大直流栅极触发电流

300 mA

最大直流栅极触发电压

3 V

最大维持电流

200 mA

通态非重复峰值电流

8500 A

最大通态电流

515000 A

最高工作温度

135 °C

断态重复峰值电压

6000 V

表面贴装

触发设备类型

SCR

参数对比

与DCR1020SF60相近的元器件有：DCR1020SF61、DCR1020SF62、DCR1020SF63、DCR1020SF64、DCR1020SF65。描述及对比如下：

型号	DCR1020SF60	DCR1020SF61	DCR1020SF62	DCR1020SF63	DCR1020SF64	DCR1020SF65
描述	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6000V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6100V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6200V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6300V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6400V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 515000mA I(T), 6500V V(DRM),
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
标称电路换相断开时间	600 µs	600 µs	600 µs	600 µs	600 µs	600 µs
关态电压最小值的临界上升速率	1000 V/us	1000 V/us	1000 V/us	1000 V/us	1000 V/us	1000 V/us
最大直流栅极触发电流	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大维持电流	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA
通态非重复峰值电流	8500 A	8500 A	8500 A	8500 A	8500 A	8500 A
最大通态电流	515000 A	515000 A	515000 A	515000 A	515000 A	515000 A
最高工作温度	135 °C	135 °C	135 °C	135 °C	135 °C	135 °C
断态重复峰值电压	6000 V	6100 V	6200 V	6300 V	6400 V	6500 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR