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DS1645EE-100

Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:DALLAS

厂商官网:http://www.dalsemi.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
DALLAS
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
100 ns
其他特性
DATA RETENTION > 10 YEARS
JESD-30 代码
R-PDIP-T32
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
32
字数
131072 words
字数代码
128000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
128KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP32,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.005 A
最大压摆率
0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
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参数对比
与DS1645EE-100相近的元器件有:DS1645EE、DS1645EE-85、DS1645EE-70。描述及对比如下:
型号 DS1645EE-100 DS1645EE DS1645EE-85 DS1645EE-70
描述 Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, CMOS, PDIP32, Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32,
厂商名称 DALLAS DALLAS DALLAS DALLAS
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合
最长访问时间 100 ns - 85 ns 70 ns
其他特性 DATA RETENTION > 10 YEARS - DATA RETENTION > 10 YEARS DATA RETENTION > 10 YEARS
JESD-609代码 e0 - e0 e0
端口数量 1 - 1 1
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
可输出 YES - YES YES
封装代码 DIP - DIP DIP
封装等效代码 DIP32,.6 - DIP32,.6 DIP32,.6
电源 5 V - 5 V 5 V
最大待机电流 0.005 A - 0.005 A 0.005 A
最大压摆率 0.085 mA - 0.085 mA 0.085 mA
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm
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