DT430N24KOF,DT430N24KOF pdf中文资料,DT430N24KOF引脚图,DT430N24KOF电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与DT430N24KOF相近的元器件有：DT430N24KOC、DT430N20KOF、DT430N22KOF、DT430N18KOC、DT430N20KOC、DT430N22KOC、DT430N18KOF。描述及对比如下：

型号	DT430N24KOF	DT430N24KOC	DT430N20KOF	DT430N22KOF	DT430N18KOC	DT430N20KOC	DT430N22KOC	DT430N18KOF
描述	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 430000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element,	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 430000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element,	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 430000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element,	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 430000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 430000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 430000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element,	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 430000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,	Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 430000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
配置	SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE
最大直流栅极触发电流	250 mA	250 mA	250 mA	250 mA	250 mA	250 mA	250 mA	250 mA
快速连接描述	G-GR	G-GR	G-GR	G-GR	G-GR	G-GR	G-GR	G-GR
螺丝端子的描述	A-K-AK	A-K-AK	A-K-AK	A-K-AK	A-K-AK	A-K-AK	A-K-AK	A-K-AK
JESD-30 代码	R-XUFM-X7	R-XUFM-X7	R-XUFM-X7	R-XUFM-X7	R-XUFM-X7	R-XUFM-X7	R-XUFM-X7	R-XUFM-X7
通态非重复峰值电流	12000 A	12000 A	12000 A	12000 A	12000 A	12000 A	12000 A	12000 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	7	7	7	7	7	7	7	7
最大通态电流	430000 A	430000 A	430000 A	430000 A	430000 A	430000 A	430000 A	430000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	800 A	800 A	800 A	800 A	800 A	800 A	800 A	800 A
断态重复峰值电压	2400 V	2400 V	2000 V	2200 V	1800 V	2000 V	2200 V	1800 V
重复峰值反向电压	2400 V	2400 V	2000 V	2200 V	1800 V	2000 V	2200 V	1800 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
厂商名称	-	-	EUPEC [eupec GmbH]	EUPEC [eupec GmbH]	EUPEC [eupec GmbH]	EUPEC [eupec GmbH]	EUPEC [eupec GmbH]	EUPEC [eupec GmbH]
标称电路换相断开时间	-	-	300 µs	300 µs	300 µs	300 µs	300 µs	300 µs
关态电压最小值的临界上升速率	-	-	1000 V/us	1000 V/us	500 V/us	500 V/us	500 V/us	1000 V/us

关于GPU编程的讨论: 图形处理器（Graphics Processing Unit, GPU）和中央处理器（Centra...; ljg2np 综合技术交流

我彻底的无奈了！: 大家好：最近做一个GPRS收发短信的实验，接收短信后解析出号码和内容，然后回复给该手机需要的内容， ...; mcmamman 嵌入式系统

请前辈帮忙介绍入门学习电子工程的基础书: 如题本人脱产大专会计毕业，但对电子工程感兴趣，准备跨专业自学。报的自考本科。无奈看不懂。想...; zb801732 单片机

MEMS技术在非制冷红外探测器中的应用: 微电子机械系统(MEMS)技术作为一项新兴的微细加工技术，已开始在各领域应用。它可将信息获取、处理和...; hudie0 测试/测量

这个器件是什么: 图上的器件叫什么这个器件是什么 “这个器件是什么” 从这个符号看，是两支萧特基二极管串联。 ...; 前门扫地 PCB设计

【连载】【星光闪电STM32F407开发板】第十四章低功耗实验: 第十四章低功耗实验 14.1 实验...; hejecu stm32/stm8

烧了600多亿人工智能的“商业大门”为谁开？

“技术实力挺强，但钱烧得真猛，目前盈利模式还不清晰……” 从创业者到投资人，大家对人工智能的商业价值都持有高期望，而商业“奇点”在哪儿呢？从2014年“人工智能”开始成为资本关注的方向，至今有超过500家投资机构，累计投入600多亿真金白银（数据来源：亿欧智库AI创投数据库）。尤其在2017年下半年之后，各细分赛道的市场竞争格局初定，投资阶段进入中后期，一些企业的融资额已经高得令人咂舌：单笔融...[详细]
CPU 巨人英特尔跌跤死对头抢占地盘

　　芯片龙头大厂英特尔去年第四季靠着Atom（凌动）处理器出货量大增，市占率提高到81.8％新高，近来更对竞争同业大兴诉讼，包括指称超威切割制造部门独立为晶圆代工厂Globalfoundries已违反交互许可协议，并指称英伟达（NVIDIA）不能生产搭配Nehalem架构处理器的芯片组等。　　过去几年，想要挑战英特尔在计算机芯片市场宝座的半导体厂商，最后都不得不屈服在英特尔的势力下。以台...[详细]
波特率漂移导致通信异常的故障排查过程

示波器的协议解码功能大家都不生疏，你是否有过波形看起来正常，协议参数、解码设置都正确，却无法正常解码的经历呢？本文以UART协议为例，分享由于波特率漂移导致通信异常的故障排查过程。什么是波特率漂移呢？可以理解为被测部件晶振有偏差，导致实际波特率和正常的波特率不一致。为什么波特率漂移会导致通信异常呢？本文从波形出发，带你自检解码结果。一、波特率漂移导致通信异常的故障排查引出这样一个真...[详细]
经USB端口的模拟和数字I/O

本文给出通过计算机USB端口得到16位数字I/O和12位模拟I/O。用Gigatechnology USB 模块和 LTC1286ADC、LTC1451DAC 实现本设计。　　USB模块　　USB模块(图1)接入USB总线，它提供字节宽的双向信号。4个其他信号控制数据流。为了从PC得到数据，等待直到*RXF输出为高态和*RD输入为低态为止，然后数据呈现在双向引脚。在*RD变化状态之后，*...[详细]
电动汽车的电机壳、电池包加工技术分析

问：电动汽车的驱动电机，比内燃机少了多少个零部件？100个？300个？还是500个？答案是：1000+ 据不完全统计，一台常规内燃机，一般有高达1400多个零部件；而一台驱动电机则往往只有100-200个零部件，减少了将近1000多个零件。对于一些传统加工刀具、设备和产线来说，这些减少的零件就像是被AI取代的人工岗位。数据显示：传统五大件缸体、缸盖、曲轴、连杆、凸轮轴的专用加工刀具...[详细]
金融危机下中国的标签产业将面临新机遇

　　中国印刷及设备器材工业协会标签分会名誉理事长谭俊峤就全球金融危机下中国标签产业发展机遇及热点技术进行了深入细致的分析。 08年标签行业八大新亮点　　谭俊峤首先从全球和国内两个层面对标签行业的巨大市场空间进行了分析。现在全球整个标签行业发展都很快，谭俊峤说“我国标签行业的发展很快，产量增速高于世界标签行业的平均发展水平，有很大的市场潜力”。去年中国标签行为有八大亮点：1、2008年中...[详细]
国产EDA软件供应商芯愿景计划科创板上市

5月7日，北京监管局披露了民生证券股份有限公司关于北京芯愿景软件技术股份有限公司（以下简称“芯愿景”）首次公开发行并在科创板上市辅导工作总结报告。愿景创立于2002年，是一家以IP核、EDA软件和集成电路分析设计平台为核心的高技术服务公司。向全球客户提供集成电路分析、集成电路设计、集成电路EDA软件销售服务。 ...[详细]
魅族18系列将支持2K + 120帧双开：后续OTA推送或升级

魅族科技今天晚上通过微博宣布，不久前发布的魅族 18 系列将解锁新的功能，即屏幕支持「2K + 120 帧双开尝鲜模式」，官方称将带来更极致的丝滑体验，该功能将在后续 OTA 中推送升级。同时，官方也「玩梗」称「永远相信，万物皆可 OTA」。在发布魅族 18 系列后，不少测评发现官方称的 2K 和 120 帧选项，其实只能二选一开启，这对于部分用户来说还是比较遗憾的。不过此次宣布支持...[详细]
OPPO、vivo屡被山寨法院严审商标侵权案

近年来,随着东莞本土知名企业步步高、欧珀旗下品牌OPPO、vivo快速崛起,成功抢占手机市场,山寨手机及配件也开始出现,消费者难辨真假,也使两家公司蒙受巨大的损失。东莞市第三人民法院通过案件审理、释法说理、司法建议等举措,加大对商标侵权行为的打击力度,该类诉讼案件近三年来大量减少。正值“全国知识产权宣传周”之际,市第三人民法院发布了涉及“OPPO”“vivo”商标的民事侵权案件调研分析报告。报...[详细]
2070万摄像头富士安卓智能新机体验

2014年06月23日 08:20 新浪手机微博我有话说( 101 人参与) 评论中大奖（101人参与）收藏本文　　在过去的近半年时间中，智能手机市场陆续出现了多款旗舰级产品，比如索尼Xperia Z2、HTC One(M8)、三星GALAXY S5以及OPPO Find 7等等，它们均搭载了性能强劲的高通骁...[详细]
Fraunhofer ISE证实Heliatek有机光伏测试电池转换率达到9.8%

FraunhoferISECalLab证实Heliatek的1.1cm²有机串联光伏测试电池转换率达到9.8%，电池的制造是一个低温沉积过程。公司的内部测量表明按比例增加破纪录的电池到面板，尺寸 120在有效的组件面积内产生的效率超过9%。Heliatek指出新纪录已经是第三次了，在OPV系统仍然有效。 Heliatek的共同创始人和首席技术官MartinPfeiffer说：“Heliatek...[详细]
好一幅中国5G产业地图，太恢弘！

据高通报告预测，到2035年，中国5G价值链将创造9840亿美元的产出，全球5G价值链将创造3.5万亿美元产值。中国5G价值链将创造950万个工作岗位，全球5G价值链会创造2200万个工作岗位。中国将是全球5G发展的重要一极，在一些关键技术上可以实现引领。目前5G尚处于标准制定进程中，整个产业的发展还具有很大不确定性，按照网络演进规律和目前企业在5G研发中的投入，可以以运营商为源头，大致勾...[详细]
Qualcomm承诺在中国一流大学设立50万美元奖学金基金

奖学金用以鼓励北京大学和清华大学在工程和计算机科学领域的创新。 2014年11月19日，美国圣迭戈——Qualcomm Incorporated（NASDAQ: QCOM）今日宣布，已承诺向北京大学和清华大学提供50万美元奖学金基金。奖学金会在新学年颁奖典礼期间授予优秀的工程和计算机科学专业在读本科生。两所大学均已设立Qualcomm奖学金项目，体现Qualcomm对推动...[详细]
高速高密度PCB设计中SI/PI/EMC问题的设计

随着电子设备工作速度的不断提高，连接设备、电路板、集成电路和器件的互连系统设计越来越成为制约整个系统设计成功的关键，以高速高密度PCB设计来说，其信号完整性(SI)问题、电源完整性(PI)问题以及电磁兼容(EMC/EMI)问题已经成为设计工程当中必须解决的核心问题。随着技术的发展，越来越多的设计人员认同“高速设计就是高频设计”这一全新理念，图1很好地诠释了这一特点。图1：“短路”特...[详细]
97.5MW/390MWh！甘肃首个大型全钒液流共享储能电站在瓜州开工建设

11月4日，寰达97.5MW/390MWh共享储能电站项目在瓜州县北大桥新能源规划片区开工建设。图片据了解，该项目是甘肃首个大型全钒液流共享储能电站，项目储能系统由若干个储能单元组成，每个储能单元包含1套储能电池+1 套变流升压一体机。电池采用全钒液流电池与锂电池相 ... ...[详细]