EDF1BM,EDF1BM pdf中文资料,EDF1BM引脚图,EDF1BM电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

General Instrument Corp

Reach Compliance Code

unknow

其他特性

UL RECOGNIZED

配置

BRIDGE, 4 ELEMENTS

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

BRIDGE RECTIFIER DIODE

最大正向电压 (VF)

1.05 V

JESD-30 代码

R-PDIP-T4

最大非重复峰值正向电流

50 A

元件数量

相数

端子数量

最高工作温度

150 °C

最低工作温度

-55 °C

最大输出电流

1 A

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

认证状态

Not Qualified

最大重复峰值反向电压

100 V

最大反向电流

0.000005 µA

最大反向恢复时间

0.05 µs

表面贴装

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

DUAL

参数对比

与EDF1BM相近的元器件有：EDF1AM、EDF1CM、EDF1DM。描述及对比如下：

型号	EDF1BM	EDF1AM	EDF1CM	EDF1DM
描述	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon,	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 50V V(RRM), Silicon,	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 150V V(RRM), Silicon,	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon,
厂商名称	General Instrument Corp	General Instrument Corp	General Instrument Corp	General Instrument Corp
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown
其他特性	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.05 V	1.05 V	1.05 V	1.05 V
JESD-30 代码	R-PDIP-T4	R-PDIP-T4	R-PDIP-T4	R-PDIP-T4
最大非重复峰值正向电流	50 A	50 A	50 A	50 A
元件数量	4	4	4	4
相数	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V	50 V	150 V	200 V
最大反向电流	0.000005 µA	0.000005 µA	0.000005 µA	0.000005 µA
最大反向恢复时间	0.05 µs	0.05 µs	0.05 µs	0.05 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL