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EDF1DM

Bridge Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM)

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Transpro Electronics Corp

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Transpro Electronics Corp
Reach Compliance Code
unknown
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.1 V
JESD-609代码
e0
元件数量
4
最高工作温度
150 °C
最大输出电流
1 A
最大重复峰值反向电压
200 V
最大反向恢复时间
0.05 µs
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
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参数对比
与EDF1DM相近的元器件有:EDF1AM、EDF1BM、EDF1CM。描述及对比如下:
型号 EDF1DM EDF1AM EDF1BM EDF1CM
描述 Bridge Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM) Bridge Rectifier Diode, 1A, 50V V(RRM) Bridge Rectifier Diode, 1A, 100V V(RRM) Bridge Rectifier Diode, 1A, 150V V(RRM)
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Transpro Electronics Corp Transpro Electronics Corp Transpro Electronics Corp Transpro Electronics Corp
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A
最大重复峰值反向电压 200 V 50 V 100 V 150 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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