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EDI88512VA20MI

Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:EDI [Electronic devices inc.]

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
20 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J36
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
36
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
512KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ36,.44
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.01 A
最小待机电流
3 V
最大压摆率
0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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参数对比
与EDI88512VA20MI相近的元器件有:EDI88512VA25MM、EDI88512VA20MM、EDI88512VA15MI、EDI88512VA17MI、EDI88512VA25MI。描述及对比如下:
型号 EDI88512VA20MI EDI88512VA25MM EDI88512VA20MM EDI88512VA15MI EDI88512VA17MI EDI88512VA25MI
描述 Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, PDSO36, Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, PDSO36, Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, PDSO36,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 20 ns 25 ns 20 ns 15 ns 17 ns 25 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 36 36 36 36 36 36
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 125 °C 125 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C -55 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ36,.44 SOJ36,.44 SOJ36,.44 SOJ36,.44 SOJ36,.44 SOJ36,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最小待机电流 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL MILITARY MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大压摆率 0.16 mA 0.16 mA 0.16 mA 0.17 mA - 0.16 mA
Base Number Matches 1 1 1 1 - -
厂商名称 - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
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