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EGP10D

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:GE Sensing ( Amphenol Advanced Sensors )

厂商官网:http://www.vishay.com/

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参数对比
与EGP10D相近的元器件有:EGP10A、EGP10F、EGP10B、EGP10G、EGP10C。描述及对比如下:
型号 EGP10D EGP10A EGP10F EGP10B EGP10G EGP10C
描述 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SIGNAL DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
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