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EGP30B

3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:DACHANG

厂商官网:http://www.dachang.com.cn

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器件:EGP30B

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SIYU
R
EGP30A ...... EGP30G
Plastic Ultra-Fast Recover Rectifier
Reverse Voltage 50 to 400V
Forward Current 3.0A
特征
Features
塑封超快速整流二极管
反向电压
50 --- 400 V
正向电流
3.0 A
DO-27
·反向漏电流½
Low reverse leakage
·正向浪涌承受½力较强
High forward surge capability
·高温焊接保证
High temperature soldering guaranteed:
260℃/10
秒,
0.375" (9.5mm)引线长度。
260℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
·引线可承受5 磅
(2.3kg)
拉力。
5 lbs. (2.3kg) tension
·引线和管½皆符合ROHS标准 。
Lead and body according with ROHS standard
1.0(25.4)
MIN
.052(1.3)
DIA
.048(1.2)
.375(9.5)
.335(8.5)
.220(5.6)
DIA
.197(5.0)
1.0(25.4)
MIN
机械数据
Mechanical Data
·端子: 镀锡½向引线
Terminals: Plated axial leads
·极性: 色环端为负极
Polarity: Color band denotes cathode end
·安装½½: 任意
Mounting Position: Any
Unit:inch(mm)
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Symbols
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
EGP
30A
50
35
50
EGP
30B
100
70
100
EGP
30C
150
105
150
3.0
EGP
30D
200
140
200
EGP
30F
300
210
300
EGP
30G
400
280
400
单½
Unit
V
V
V
A
A
℃/W
V
RRM
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJA
Tj, TSTG
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
最大正向平均整流电流
Maximum average forward rectified current
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
125
15
典型热阻
Typical thermal resistance
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
-55 --- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
最大正向电压
Maximum forward voltage
EGP
30A
EGP
30B
EGP
30C
0.95
EGP
30D
EGP
30F
1.25
EGP
30G
单½
Unit
V
μA
nS
I
F
= 3.0A
TA= 25℃
TA=100℃
I
F
=0.5A I
R
=1.0A I
RR
=0.25A
V
F
I
R
trr
C
j
最大反向电流
Maximum reverse current
10
100
50
95
75
最大反向恢复时间
MAX. Reverse Recovery Time
典型结电容
Type junction capacitance
V
R
= 4.0V, f = 1MHz
pF
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
SIYU
R
特性曲线
Characteristic Curves
正向特性曲线(典型值)
TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
EGP30A ...... EGP30G
正向电流降额曲线
FORWARD CURRENT DERATING CURVE
10
平均正向电流
I
F(AV)
(A)
Average Forward Rectified Current (A)
I
F
Instantaneous Forward Current (A)
EGP30A thru
EGP30D
4.2
10mm
10mm
3.6
3
2.4
1.8
1.2
0.6
0
0
25
50
75 100 125 150 175
环境温度 Ta(°C)
Tamb, ambient temperature (°C)
2
1
EGP30F,
EGP30G
正向电流 I
F
(A)
0.2
0.1
Tj = 25 °C
0.01
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
正向电压 V
F
(V)
V
F
Instantaneous Forward Voltage (V)
浪涌特性曲线(最大值)
MAXIMUM NON REPETITIVE
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
125
I
FSM
Peak Forward Surge Current (A)
100
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
75
50
25
0
1
2
4 6 10
20
40
100
通过电流的周期
Number of Cycles at 60 Hz.
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
I
F(A)
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参数对比
与EGP30B相近的元器件有:EGP30A_15、EGP30C、EGP30D、EGP30F、EGP30A、EGP30G。描述及对比如下:
型号 EGP30B EGP30A_15 EGP30C EGP30D EGP30F EGP30A EGP30G
描述 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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