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ES3DV R7G

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Taiwan Semiconductor

厂商官网:http://www.taiwansemi.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
200V
电流 - 平均整流(Io)
3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf
900mV @ 3A
速度
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)
20ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
10µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容
45pF @ 4V,1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DO-214AB,SMC
供应商器件封装
DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
参数对比
与ES3DV R7G相近的元器件有:ES3DVHR7G、ES3DVHR6G、ES3DVHM6G、ES3DV M6G、ES3DV V6G、ES3DV V7G。描述及对比如下:
型号 ES3DV R7G ES3DVHR7G ES3DVHR6G ES3DVHM6G ES3DV M6G ES3DV V6G ES3DV V7G
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Rectifiers 3A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER Rectifiers 3A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
二极管类型 标准 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V - - - 200V 200V 200V
电流 - 平均整流(Io) 3A - - - 3A 3A 3A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) - - - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 20ns - - - 20ns 20ns 20ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA @ 200V - - - 10µA @ 200V 10µA @ 200V 10µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容 45pF @ 4V,1MHz - - - 45pF @ 4V,1MHz 45pF @ 4V,1MHz 45pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 - - - 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-214AB,SMC - - - DO-214AB,SMC DO-214AB,SMC DO-214AB,SMC
供应商器件封装 DO-214AB(SMC) - - - DO-214AB(SMC) DO-214AB(SMC) DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C - - - -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
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器件捷径:
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