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ET2147HJ-2

Standard SRAM, 4KX1, 45ns, MOS, CDIP18

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Eurotechnique

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Eurotechnique
包装说明
DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
45 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-XDIP-T18
JESD-609代码
e0
内存密度
4096 bi
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
1
端子数量
18
字数
4096 words
字数代码
4000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP18,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
参数对比
与ET2147HJ-2相近的元器件有:ET2147HN-3、ET2147J-97、ET2147J-98、ETL2147HN-3、ET2147HJ-1、ET2147HN-1。描述及对比如下:
型号 ET2147HJ-2 ET2147HN-3 ET2147J-97 ET2147J-98 ETL2147HN-3 ET2147HJ-1 ET2147HN-1
描述 Standard SRAM, 4KX1, 45ns, MOS, CDIP18 Standard SRAM, 4KX1, 55ns, MOS, PDIP18 Standard SRAM, 4KX1, 70ns, MOS, CDIP18 Standard SRAM, 4KX1, 85ns, MOS, CDIP18 Standard SRAM, 4KX1, 55ns, MOS, PDIP18 Standard SRAM, 4KX1, 35ns, MOS, CDIP18 Standard SRAM, 4KX1, 35ns, MOS, PDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknown unknow unknow
最长访问时间 45 ns 55 ns 70 ns 85 ns 55 ns 35 ns 35 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XDIP-T18 R-PDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-PDIP-T18 R-XDIP-T18 R-PDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4096 bi 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bi 4096 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 18 18 18 18 18 18 18
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY CERAMIC PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.18 mA 0.18 mA 0.18 mA 0.18 mA 0.125 mA 0.18 mA 0.18 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 MOS MOS MOS MOS MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches - 1 1 1 1 - -
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