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FR601-T

DIODE GEN PURP 50V 6A R6

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Diodes

厂商官网:http://www.diodes.com/

器件标准:

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器件:FR601-T

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器件参数
参数名称
属性值
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
50V
电流 - 平均整流(Io)
6A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf
1.3V @ 6A
速度
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)
150ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
10µA @ 50V
安装类型
通孔
封装/外壳
R6,轴向
供应商器件封装
R-6
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C
参数对比
与FR601-T相近的元器件有:FR602-T、FR603-T、FR604-T、FR605-T、FR606-T。描述及对比如下:
型号 FR601-T FR602-T FR603-T FR604-T FR605-T FR606-T
描述 DIODE GEN PURP 50V 6A R6 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE DIODE GEN PURP 200V 6A R6 DIODE GEN PURP 400V 6A R6 DIODE GEN PURP 600V 6A R6 DIODE GEN PURP 800V 6A R6
二极管类型 标准 - 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 50V - 200V 400V 600V 800V
电流 - 平均整流(Io) 6A - 6A 6A 6A 6A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.3V @ 6A - 1.3V @ 6A 1.3V @ 6A 1.3V @ 6A 1.3V @ 6A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 150ns - 150ns 150ns 250ns 500ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA @ 50V - 10µA @ 200V 10µA @ 400V 10µA @ 600V 10µA @ 800V
安装类型 通孔 - 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 R6,轴向 - R6,轴向 R6,轴向 R6,轴向 R6,轴向
供应商器件封装 R-6 - R-6 R-6 R-6 R-6
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C - -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
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