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GL34G/1

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Vishay(威世)

厂商官网:http://www.vishay.com

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器件参数
参数名称
属性值
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
400V
电流 - 平均整流(Io)
500mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf
1.2V @ 500mA
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)
1.5µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
5µA @ 400V
不同 Vr,F 时的电容
4pF @ 4V,1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DO-213AA(玻璃)
供应商器件封装
DO-213AA(GL34)
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C
参数对比
与GL34G/1相近的元器件有:GL34J-E3、GL34B/1、GL34D/1。描述及对比如下:
型号 GL34G/1 GL34J-E3 GL34B/1 GL34D/1
描述 DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213 0.5 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213
二极管类型 标准 RECTIFIER DIODE 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 400V - 100V 200V
电流 - 平均整流(Io) 500mA - 500mA 500mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.2V @ 500mA - 1.2V @ 500mA 1.2V @ 500mA
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) - 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 1.5µs - 1.5µs 1.5µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 400V - 5µA @ 100V 5µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容 4pF @ 4V,1MHz - 4pF @ 4V,1MHz 4pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 - 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-213AA(玻璃) - DO-213AA(玻璃) DO-213AA(玻璃)
供应商器件封装 DO-213AA(GL34) - DO-213AA(GL34) DO-213AA(GL34)
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C - -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
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器件捷径:
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