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GM71C4100CLZ-80

Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:LG Semicon Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Reach Compliance Code
unknown
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
80 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PZIP-T20
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
20
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
ZIP
封装等效代码
ZIP20,.1
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
自我刷新
NO
最大待机电流
0.0002 A
最大压摆率
0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
1.27 mm
端子位置
ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
参数对比
与GM71C4100CLZ-80相近的元器件有:GM71C4100CZ-60、GM71C4100CZ-80、GM71C4100CLZ-70、GM71C4100CLZ-60、GM71C4100CZ-70。描述及对比如下:
型号 GM71C4100CLZ-80 GM71C4100CZ-60 GM71C4100CZ-80 GM71C4100CLZ-70 GM71C4100CLZ-60 GM71C4100CZ-70
描述 Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20, Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PZIP20, Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20, Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PZIP20, Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PZIP20,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 80 ns 60 ns 80 ns 70 ns 60 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PZIP-T20 R-PZIP-T20 R-PZIP-T20 R-PZIP-T20 R-PZIP-T20 R-PZIP-T20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20 20 20
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 ZIP ZIP ZIP ZIP ZIP ZIP
封装等效代码 ZIP20,.1 ZIP20,.1 ZIP20,.1 ZIP20,.1 ZIP20,.1 ZIP20,.1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024
自我刷新 NO NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.0002 A 0.001 A 0.001 A 0.0002 A 0.0002 A 0.001 A
最大压摆率 0.09 mA 0.11 mA 0.09 mA 0.1 mA 0.11 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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