GM71V4403ELJ-80,GM71V4403ELJ-80 pdf中文资料,GM71V4403ELJ-80引脚图,GM71V4403ELJ-80电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

SK Hynix(海力士)

包装说明

SOJ, SOJ20/26,.34

Reach Compliance Code

compliant

最长访问时间

80 ns

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PDSO-J20

JESD-609代码

内存密度

4194304 bit

内存集成电路类型

EDO DRAM

内存宽度

端子数量

字数

1048576 words

字数代码

1000000

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

1MX4

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

SOJ

封装等效代码

SOJ20/26,.34

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

电源

3.3 V

认证状态

Not Qualified

刷新周期

1024

自我刷新

最大待机电流

0.0001 A

最大压摆率

0.065 mA

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

J BEND

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

参数对比

与GM71V4403ELJ-80相近的元器件有：GM71V4403ET-60、GM71V4403ELJ-70、GM71V4403ELR-60、GM71V4403ELR-70、GM71V4403ELR-80、GM71V4403ELT-60、GM71V4403ELT-80。描述及对比如下：

型号	GM71V4403ELJ-80	GM71V4403ET-60	GM71V4403ELJ-70	GM71V4403ELR-60	GM71V4403ELR-70	GM71V4403ELR-80	GM71V4403ELT-60	GM71V4403ELT-80
描述	EDO DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20,	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20,	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20,	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20,	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20,	EDO DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20,	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20,	EDO DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
包装说明	SOJ, SOJ20/26,.34	TSOP, TSOP20/26,.36	SOJ, SOJ20/26,.34	TSOP, TSOP20/26,.36	TSOP, TSOP20/26,.36	TSOP, TSOP20/26,.36	TSOP, TSOP20/26,.36	TSOP, TSOP20/26,.36
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	80 ns	60 ns	70 ns	60 ns	70 ns	80 ns	60 ns	80 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J20	R-PDSO-G20	R-PDSO-J20	R-PDSO-G20	R-PDSO-G20	R-PDSO-G20	R-PDSO-G20	R-PDSO-G20
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
端子数量	20	20	20	20	20	20	20	20
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	TSOP	SOJ	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP
封装等效代码	SOJ20/26,.34	TSOP20/26,.36	SOJ20/26,.34	TSOP20/26,.36	TSOP20/26,.36	TSOP20/26,.36	TSOP20/26,.36	TSOP20/26,.36
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024	1024	1024	1024	1024
自我刷新	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.0001 A	0.001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.065 mA	0.08 mA	0.07 mA	0.08 mA	0.07 mA	0.065 mA	0.08 mA	0.065 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	GULL WING	J BEND	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL