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GM71V65403AJ-6

EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:LG Semicon Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code
unknown
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
60 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J32
JESD-609代码
e0
内存密度
67108864 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
32
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ32,.44
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
自我刷新
NO
最大待机电流
0.0005 A
最大压摆率
0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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参数对比
与GM71V65403AJ-6相近的元器件有:GM71V65403AT-5、GM71VS65403ALJ-6、GM71V65403AJ-5、GM71V65403AT-6、GM71VS65403ALJ-5、GM71VS65403ALT-5、GM71VS65403ALT-6。描述及对比如下:
型号 GM71V65403AJ-6 GM71V65403AT-5 GM71VS65403ALJ-6 GM71V65403AJ-5 GM71V65403AT-6 GM71VS65403ALJ-5 GM71VS65403ALT-5 GM71VS65403ALT-6
描述 EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 50 ns 60 ns 50 ns 60 ns 50 ns 50 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ TSOP SOJ SOJ TSOP SOJ TSOP TSOP
封装等效代码 SOJ32,.44 TSOP32,.46 SOJ32,.44 SOJ32,.44 TSOP32,.46 SOJ32,.44 TSOP32,.46 TSOP32,.46
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096
自我刷新 NO NO YES NO NO YES YES YES
最大待机电流 0.0005 A 0.0005 A 0.0003 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A
最大压摆率 0.17 mA 0.19 mA 0.17 mA 0.19 mA 0.17 mA 0.19 mA 0.19 mA 0.17 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND GULL WING J BEND J BEND GULL WING J BEND GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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