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GS81302TT11GE-350I

静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 9 144M

器件类别:存储    存储   

厂商名称:GSI Technology

厂商官网:http://www.gsitechnology.com/

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GS81302TT11GE-350I 在线购买

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器件:GS81302TT11GE-350I

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
GSI Technology
零件包装代码
BGA
包装说明
LBGA,
针数
165
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.B
Factory Lead Time
12 weeks
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
JESD-609代码
e1
长度
17 mm
内存密度
150994944 bit
内存集成电路类型
DDR SRAM
内存宽度
9
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
165
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
16MX9
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
15 mm
参数对比
与GS81302TT11GE-350I相近的元器件有:GS81302TT11E-500、GS81302TT06E-500I、GS81302TT11GE-400、GS81302TT06GE-400、GS81302TT06GE-400I、GS81302TT38GE-350、GS81302TT38E-450、GS81302TT38GE-400I。描述及对比如下:
型号 GS81302TT11GE-350I GS81302TT11E-500 GS81302TT06E-500I GS81302TT11GE-400 GS81302TT06GE-400 GS81302TT06GE-400I GS81302TT38GE-350 GS81302TT38E-450 GS81302TT38GE-400I
描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 9 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 9 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 8 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 9 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 8 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 16M x 8 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M
是否无铅 不含铅 含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 符合 符合 符合 符合 不符合 符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA,
针数 165 165 165 165 165 165 165 165 165
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks 12 weeks
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
长度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm
内存密度 150994944 bit 150994944 bit 134217728 bit 150994944 bit 134217728 bit 134217728 bit 150994944 bit 150994944 bit 150994944 bit
内存集成电路类型 DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM
内存宽度 9 9 8 9 8 8 36 36 36
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 165 165 165 165 165 165 165 165 165
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C
组织 16MX9 16MX9 16MX8 16MX9 16MX8 16MX8 4MX36 4MX36 4MX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 260 260 NOT SPECIFIED 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm
JESD-609代码 e1 - - e1 e1 e1 e1 - e1
湿度敏感等级 3 - - 3 3 3 3 - 3
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
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