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DRAM Module, 256KX8, 150ns, NMOS, SIMM-30
厂商名称：Hitachi （Renesas ）
厂商官网：http://www.renesas.com/eng/
下载文档| 型号 | HB561008A-15 | HB561008A-20 | HB561008A-12 | HB561008AR-20 | HB561008B-20 |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | DRAM Module, 256KX8, 150ns, NMOS, SIMM-30 | DRAM Module, 256KX8, 200ns, NMOS, SIMM-30 | DRAM Module, 256KX8, 120ns, NMOS, SIMM-30 | DRAM Module, 256KX8, 200ns, NMOS, SIMM-30 | DRAM Module, 256KX8, 200ns, NMOS, SIMM-30 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | SIMM | SIMM | SIMM | SIMM | SIMM |
| 包装说明 | , SIP30,.2 | , SIP30,.2 | , SIP30,.2 | , SIP30,.2 | SIMM, SIM30 |
| 针数 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE | PAGE | PAGE | PAGE | PAGE |
| 最长访问时间 | 150 ns | 200 ns | 120 ns | 200 ns | 200 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-T30 | R-XSMA-T30 | R-XSMA-T30 | R-XSMA-T30 | R-XSMA-N30 |
| 内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | DRAM MODULE | DRAM MODULE | DRAM MODULE | DRAM MODULE | DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码 | SIP30,.2 | SIP30,.2 | SIP30,.2 | SIP30,.2 | SIM30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 256 | 256 | 256 | 256 | 256 |
| 座面最大高度 | 18.034 mm | 18.034 mm | 18.034 mm | 17.78 mm | 17.78 mm |
| 最大压摆率 | 0.56 mA | 0.44 mA | 0.66 mA | 0.44 mA | 0.44 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
