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HB56G51236B-7A

Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, MOS, SIMM-72

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Hitachi (Renesas )
零件包装代码
SIMM
包装说明
,
针数
72
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
70 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
JESD-30 代码
R-XSMA-N72
内存密度
18874368 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度
36
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
72
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
组织
512KX36
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大供电电压 (Vsup)
5.25 V
最小供电电压 (Vsup)
4.75 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
MOS
端子形式
NO LEAD
端子位置
SINGLE
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参数对比
与HB56G51236B-7A相近的元器件有:HB56G51236B-7AL、HB56G51236SB-8A、HB56G51236SB-8AL、HB56G51236SB-7AL、HB56G51236B-8AL、HB56G51236B-8A、HB56G51236SB-7A。描述及对比如下:
型号 HB56G51236B-7A HB56G51236B-7AL HB56G51236SB-8A HB56G51236SB-8AL HB56G51236SB-7AL HB56G51236B-8AL HB56G51236B-8A HB56G51236SB-7A
描述 Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 512KX36, 80ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 512KX36, 80ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 512KX36, 80ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 512KX36, 80ns, MOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, MOS, SIMM-72
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
针数 72 72 72 72 72 72 72 72
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 70 ns 70 ns 80 ns 80 ns 70 ns 80 ns 80 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
JESD-30 代码 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 36 36 36 36 36 36 36 36
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 72 72 72 72 72 72 72 72
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
组织 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512 512 512 512
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 MOS MOS MOS MOS MOS MOS MOS MOS
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
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