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HB56SW864ESN-7B

EDO DRAM Module, 8MX64, 70ns, MOS

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
70 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N168
内存密度
536870912 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
168
字数
8388608 words
字数代码
8000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM168
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
25.4 mm
最大待机电流
0.032 A
最大压摆率
1.52 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3.15 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
参数对比
与HB56SW864ESN-7B相近的元器件有:HB56SW864ESN-6B、HB56SW864ESN-8B。描述及对比如下:
型号 HB56SW864ESN-7B HB56SW864ESN-6B HB56SW864ESN-8B
描述 EDO DRAM Module, 8MX64, 70ns, MOS EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, MOS EDO DRAM Module, 8MX64, 80ns, MOS
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 70 ns 60 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX64 8MX64 8MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm
最大待机电流 0.032 A 0.032 A 0.032 A
最大压摆率 1.52 mA 1.68 mA 1.36 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 -
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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