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HER506G-C

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-27,

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：SECOS

厂商官网：http://www.secosgmbh.com/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SECOS
包装说明
O-PALF-W2
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH RELIABILITY
应用
EFFICIENCY
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.85 V
JEDEC-95代码
DO-27
JESD-30 代码
O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流
100 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
5 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
最大重复峰值反向电压
800 V
最大反向电流
10 µA
最大反向恢复时间
0.07 µs
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
文档预览
HER501G ~ HER507G
Elektronische Bauelemente
Voltage 50 ~ 1000 V,
5Amp Glass Passivated High Efficiency Rectifiers
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability
High speed switching
DO-27
C
A
B
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202, Methode 208 guranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 1.10 grams
D
A
REF.
A
B
C
D
Millimeter
Min.
Max.
25.4 (TYP)
7.20
9.53
4.80
5.60
1.10
1.32
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, de-rate current by 20%.
Part Number
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current 9.5mm Lead length @T
A
=50°C
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC methode)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 5.0A
Maximum DC Reverse Current T
A
=25°C
at Rated DC Blocking Voltage
T
A
=100°C
Maximum Reverse Recovery Time
1
Typical Junction Capacitance
2
Operating & Storage Temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
T
J
,T
STG
HER
501G
HER
502G
HER
503G
HER
504G
HER
505G
HER
506G
HER
507G
Unit
V
V
V
A
A
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
5.0
100
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
1.0
1.3
10
200
50
100
-55~150
1.85
V
μA
70
nS
pF
°C
Note:
1. Reverse Recovery Time test condition: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
06-Sep-2012 Rev. B
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HER501G ~ HER507G
Elektronische Bauelemente
Voltage 50 ~ 1000 V,
5Amp Glass Passivated High Efficiency Rectifiers
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES
06-Sep-2012 Rev. B
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参数对比
与HER506G-C相近的元器件有：HER502G-C、HER503G-C、HER501G-C、HER507G-C、HER504G-C、HER505G-C。描述及对比如下：
型号 HER506G-C HER502G-C HER503G-C HER501G-C HER507G-C HER504G-C HER505G-C
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-27, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-27,
厂商名称 SECOS SECOS SECOS SECOS SECOS SECOS SECOS
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code compli compliant compliant compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.85 V 1 V 1 V 1 V 1.85 V 1.3 V 1.85 V
JEDEC-95代码 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A 100 A 100 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 800 V 100 V 200 V 50 V 1000 V 400 V 600 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.07 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.07 µs 0.05 µs 0.07 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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