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HF30-28S_07

HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

器件类别：半导体    分立半导体   

厂商名称：ASI [ASI Semiconductor, Inc]

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
最大集电极电流
5 A
最大集电极发射极电压
35 V
端子数量
4
加工封装描述
0.380 INCH, STUD PACKAGE-4
状态
Active
壳体连接
EMITTER
最大集电极基极电容
65 pF
结构
SINGLE
最小直流放大倍数
5
最高频带
HIGH FREQUENCY BAND
jesd_30_code
O-CRPM-F4
元件数量
1
最大工作温度
200 Cel
包装材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
包装形状
ROUND
包装尺寸
POST/STUD MOUNT
larity_channel_type
NPN
wer_dissipation_max__abs_
60 W
qualification_status
COMMERCIAL
sub_category
Other Transistors
表面贴装
NO
端子形式
FLAT
端子位置
RADIAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
HF30-28S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI HF30-28S
is a 28 V epitaxial
RF NPN planar transistor designed
primarily for SSB communications.
The device utilizes emitter ballasting
for improved ruggedness and
reliability.
PACKAGE STYLE .380 4L STUD
.112x45°
A
C
B
FEATURES:
•
P
G
= 20 dB min. at 30 W/30 MHz
•
IMD
3
= -30 dBc max. at 30 W
(PEP)
•
Omnigold™
Metalization System
E
ØC
E
B
I
J
D
H
#8-32 UNC-2A
F
G
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CB
V
CE
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
5.0 A
65 V
35 V
4.0 V
60 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
2.9 °C/W
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
MINIMUM
inches / mm
E
MAXIMUM
inches / mm
.220 / 5.59
.980 / 24.89
.370 / 9.40
.004 / 0.10
.320 / 8.13
.100 / 2.54
.450 / 11.43
.090 / 2.29
.155 / 3.94
.230 / 5.84
.385 / 9.78
.007 / 0.18
.330 / 8.38
.130 / 3.30
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.175 / 4.45
.750 / 19.05
ORDER CODE: ASI10605
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
I
CBO
h
FE
C
OB
I
C
= 10 mA
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 200 mA
I
C
= 200 mA
I
E
= 10 mA
V
CE
= 30 V
V
CE
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30V
I
C
= 500 mA
f = 1.0 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
65
65
35
4.0
---
---
5.0
---
---
---
---
---
10
100
200
65
UNITS
V
V
V
V
mA
mA
---
pF
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
•
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
•
(818) 982-1200
•
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. C
1/2
HF30-28F
ERROR! REFERENCE SOURCE NOT FOUND.
G
P
η
C
IMD
3
V
CE
= 28 V
P
OUT
= 30 W
(PEP)
P
IN
= 0.48 W
f = 30 MHz
718
60
-28
dB
%
dBc
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
•
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
•
(818) 982-1200
•
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Specifications are subject to change without notice.
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参数对比
与HF30-28S_07相近的元器件有：HF30-28S。描述及对比如下：
型号 HF30-28S_07 HF30-28S
描述 HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
最大集电极电流 5 A 5 A
最大集电极发射极电压 35 V 35 V
端子数量 4 4
加工封装描述 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4
状态 Active Active
壳体连接 EMITTER EMITTER
最大集电极基极电容 65 pF 65 pF
结构 SINGLE SINGLE
最小直流放大倍数 5 5
最高频带 HIGH FREQUENCY BAND HIGH FREQUENCY BAND
jesd_30_code O-CRPM-F4 O-CRPM-F4
元件数量 1 1
最大工作温度 200 Cel 200 Cel
包装材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
包装形状 ROUND ROUND
包装尺寸 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
larity_channel_type NPN NPN
wer_dissipation_max__abs_ 60 W 60 W
qualification_status COMMERCIAL COMMERCIAL
sub_category Other Transistors Other Transistors
表面贴装 NO NO
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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