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HM5225805ATT-10

Synchronous DRAM, 32MX8, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

器件类别：存储    存储   

厂商名称：Hitachi （Renesas ）

厂商官网：http://www.renesas.com/eng/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Hitachi （Renesas ）
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2, TSOP54,.46,32
针数
54
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
8 ns
最大时钟频率 (fCLK)
100 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G54
JESD-609代码
e0
长度
22.22 mm
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
54
字数
33554432 words
字数代码
32000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
32MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP54,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
1.2 mm
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.002 A
最大压摆率
0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1
文档预览
HM5225165A-8/10
HM5225805A-8/10
HM5225405A-8/10
256M LVTTL interface SDRAM
125 MHz/100 MHz
4-Mword
×
16-bit
×
4-bank/8-Mword
×
8-bit
×
4-bank
/16-Mword
×
4-bit
×
4-bank
ADE-203-834B (Z)
Preliminary, Rev. 0.2
Sept. 20, 1998
Description
The Hitachi HM5225165A is a 256-Mbit SDRAM organized as 4194304-word
×
16-bit
×
4 bank. The
Hitachi HM5225805A is a 256-Mbit SDRAM organized as 8388608-word
×
8-bit
×
4 bank. The Hitachi
HM5225405A is a 256-Mbit SDRAM organized as 16777216-word
×
4-bit
×
4 bank. All inputs and
outputs are referred to the rising edge of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.
Features
•
•
•
•
•
•
•
•
3.3 V power supply
Clock frequency: 125 MHz/100 MHz (max)
LVTTL interface
Single pulsed
RAS
4 banks can operate simultaneously and independently
Burst read/write operation and burst read/single write operation capability
Programmable burst length: 1/2/4/8/full page
2 variations of burst sequence
Sequential (BL = 1/2/4/8/full page)
Interleave (BL = 1/2/4/8)
•
Programmable
CAS
latency: 2/3
HM5225165A-8/10, HM5225805A-8/10, HM5225405A-8/10
•
Byte control by DQM : DQM (HM5225805A/HM5225405A)
: DQMU/DQML (HM5225165A)
•
Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64 ms
•
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
•
Full page burst length capability
Sequential burst
Burst stop capability
Ordering Information
Type No.
HM5225165ATT-8
HM5225165ATT-10
HM5225805ATT-8
HM5225805ATT-10
HM5225405ATT-8
HM5225405ATT-10
Frequency
125 MHz
100 MHz
125 MHz
100 MHz
125 MHz
100 MHz
Package
400-mil 54-pin plastic TSOP II (TTP-54D)
2
HM5225165A-8/10, HM5225805A-8/10, HM5225405A-8/10
Pin Arrangement
(HM5225165A)
54-pin TSOP
V
CC
DQ0
V
CC
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
CC
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
V
CC
DQML
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
(Top view)
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
CC
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
CC
Q
DQ8
V
SS
NC
DQMU
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
Pin Description
Pin name
A0 to A12,
BA0, BA1
Function
Address input
Row address
Column address
Bank select address
DQ0 to DQ15
CS
RAS
CAS
WE
Data-input/output
Chip select
Row address strobe command
Column address strobe command
Write enable
A0 to A12
A0 to A8
BA0/BA1 (BS)
Pin name
DQMU/DQML
CLK
CKE
V
CC
V
SS
V
CC
Q
V
SS
Q
NC
Function
Input/output mask
Clock input
Clock enable
Power for internal circuit
Ground for internal circuit
Power for DQ circuit
Ground for DQ circuit
No connection
3
HM5225165A-8/10, HM5225805A-8/10, HM5225405A-8/10
Pin Arrangement
(HM5225805A)
54-pin TSOP
V
CC
DQ0
V
CC
Q
NC
DQ1
V
SS
Q
NC
DQ2
V
CC
Q
NC
DQ3
V
SS
Q
NC
V
CC
NC
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
(Top view)
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ7
V
SS
Q
NC
DQ6
V
CC
Q
NC
DQ5
V
SS
Q
NC
DQ4
V
CC
Q
NC
V
SS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
Pin Description
Pin name
A0 to A12,
BA0, BA1
Function
Address input
Row address
Column address
Bank select address
DQ0 to DQ7
CS
RAS
CAS
WE
Data-input/output
Chip select
Row address strobe command
Column address strobe command
Write enable
A0 to A12
A0 to A9
BA0/BA1 (BS)
Pin name
DQM
CLK
CKE
V
CC
V
SS
V
CC
Q
V
SS
Q
NC
Function
Input/output mask
Clock input
Clock enable
Power for internal circuit
Ground for internal circuit
Power for DQ circuit
Ground for DQ circuit
No connection
4
HM5225165A-8/10, HM5225805A-8/10, HM5225405A-8/10
Pin Arrangement
(HM5225405A)
54-pin TSOP
V
CC
NC
V
CC
Q
NC
DQ0
V
SS
Q
NC
NC
V
CC
Q
NC
DQ1
V
SS
Q
NC
V
CC
NC
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
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(Top view)
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
NC
V
SS
Q
NC
DQ3
V
CC
Q
NC
NC
V
SS
Q
NC
DQ2
V
CC
Q
NC
V
SS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
Pin Description
Pin name
A0 to A12,
BA0, BA1
Function
Address input
Row address
Column address
Bank select address
DQ0 to DQ3
CS
RAS
CAS
WE
Data-input/output
Chip select
Row address strobe command
Column address strobe command
Write enable
A0 to A12
A0 to A9, A11
BA0/BA1 (BS)
Pin name
DQM
CLK
CKE
V
CC
V
SS
V
CC
Q
V
SS
Q
NC
Function
Input/output mask
Clock input
Clock enable
Power for internal circuit
Ground for internal circuit
Power for DQ circuit
Ground for DQ circuit
No connection
5
查看更多>
参数对比
与HM5225805ATT-10相近的元器件有：HM5225165ATT-8、HM5225405ATT-8、HM5225805ATT-8、HM5225405ATT-10、HM5225165ATT-10。描述及对比如下：
型号 HM5225805ATT-10 HM5225165ATT-8 HM5225405ATT-8 HM5225805ATT-8 HM5225405ATT-10 HM5225165ATT-10
描述 Synchronous DRAM, 32MX8, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 64MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 64MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 16MX16, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32
针数 54 54 54 54 54 54
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 8 ns 6 ns 6 ns 6 ns 8 ns 8 ns
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 125 MHz 125 MHz 125 MHz 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bi 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 8 16 4 8 4 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 54 54 54 54 54 54
字数 33554432 words 16777216 words 67108864 words 33554432 words 67108864 words 16777216 words
字数代码 32000000 16000000 64000000 32000000 64000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX8 16MX16 64MX4 32MX8 64MX4 16MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.18 mA 0.22 mA 0.22 mA 0.22 mA 0.18 mA 0.18 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅 -
厂商名称 Hitachi （Renesas ） - Hitachi （Renesas ） Hitachi （Renesas ） Hitachi （Renesas ） Hitachi （Renesas ）
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