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HM9264BLP-8L

64 k SRAM (8-kword x 8-bit)

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Hitachi (Renesas )
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP28,.6
针数
28
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
85 ns
其他特性
BATTERY BACK-UP OPERATION
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDIP-T28
JESD-609代码
e0
长度
35.6 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.7 mm
最大待机电流
0.000025 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
15.24 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与HM9264BLP-8L相近的元器件有:HM9264BLFP-10L、HM9264BLP-10L、HM9264B、HM9264BLFP-8L。描述及对比如下:
型号 HM9264BLP-8L HM9264BLFP-10L HM9264BLP-10L HM9264B HM9264BLFP-8L
描述 64 k SRAM (8-kword x 8-bit) 64 k SRAM (8-kword x 8-bit) 64 k SRAM (8-kword x 8-bit) 64 k SRAM (8-kword x 8-bit) 64 k SRAM (8-kword x 8-bit)
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 - 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas )
零件包装代码 DIP SOIC DIP - SOIC
包装说明 DIP, DIP28,.6 SOP, SOP28,.45 DIP, DIP28,.6 - SOP, SOP28,.45
针数 28 28 28 - 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown - unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
最长访问时间 85 ns 100 ns 100 ns - 85 ns
其他特性 BATTERY BACK-UP OPERATION BATTERY BACK-UP OPERATION BATTERY BACK-UP OPERATION - BATTERY BACK-UP OPERATION
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 - R-PDSO-G28
JESD-609代码 e0 - e0 - e0
长度 35.6 mm 18 mm 35.6 mm - 18 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit - 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 - 8
功能数量 1 1 1 - 1
端子数量 28 28 28 - 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words - 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 - 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 - 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP DIP - SOP
封装等效代码 DIP28,.6 SOP28,.45 DIP28,.6 - SOP28,.45
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE - SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V - 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 5.7 mm 3 mm 5.7 mm - 3 mm
最大待机电流 0.000025 A 0.000025 A 0.000025 A - 0.000025 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V - 2 V
最大压摆率 0.045 mA 0.045 mA 0.045 mA - 0.045 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V - 5 V
表面贴装 NO YES NO - YES
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE - GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm - 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 8.4 mm 15.24 mm - 8.4 mm
Base Number Matches 1 1 1 - 1
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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