首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

HMA451S6AFR8N-TF

DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-260

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SK Hynix(海力士)

厂商官网:http://www.hynix.com/eng/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SK Hynix(海力士)
包装说明
ROHS COMPLIANT, SODIMM-260
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性
AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
JESD-30 代码
R-XDMA-N260
长度
69.6 mm
内存密度
34359738368 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
260
字数
536870912 words
字数代码
512000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
组织
512MX64
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
260
座面最大高度
30.13 mm
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.26 V
最小供电电压 (Vsup)
1.14 V
标称供电电压 (Vsup)
1.2 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.5 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
3.59 mm
参数对比
与HMA451S6AFR8N-TF相近的元器件有:HMA451S6AFR8N-UH、HMA451S7AFR8N-TF、HMA451S7AFR8N-UH。描述及对比如下:
型号 HMA451S6AFR8N-TF HMA451S6AFR8N-UH HMA451S7AFR8N-TF HMA451S7AFR8N-UH
描述 DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-260
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
包装说明 ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 DIMM, DIMM,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
JESD-30 代码 R-XDMA-N260 R-XDMA-N260 R-XDMA-N260 R-XDMA-N260
长度 69.6 mm 69.6 mm 69.6 mm 69.6 mm
内存密度 34359738368 bit 34359738368 bit 38654705664 bit 38654705664 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 72 72
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 260 260 260 260
字数 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words
字数代码 512000000 512000000 512000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 512MX64 512MX64 512MX72 512MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
座面最大高度 30.13 mm 30.13 mm 30.13 mm 30.13 mm
自我刷新 YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.26 V 1.26 V 1.26 V 1.26 V
最小供电电压 (Vsup) 1.14 V 1.14 V 1.14 V 1.14 V
标称供电电压 (Vsup) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20
宽度 3.59 mm 3.59 mm 3.59 mm 3.59 mm
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
需要登录后才可以下载。
登录取消