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HMT125S6DFR8C-G7

DDR DRAM, 256MX64, 20ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SK Hynix(海力士)

厂商官网:http://www.hynix.com/eng/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SK Hynix(海力士)
零件包装代码
DMA
包装说明
DIMM, DIMM204,24
针数
204
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
20 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
533 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N204
JESD-609代码
e1
长度
67.6 mm
内存密度
17179869184 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
204
字数
268435456 words
字数代码
256000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
组织
256MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM204,24
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
1.5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.575 V
最小供电电压 (Vsup)
1.425 V
标称供电电压 (Vsup)
1.5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.6 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
20
参数对比
与HMT125S6DFR8C-G7相近的元器件有:HMT125S6DFR8C-H9、HMT112S6DFR8C-H9、HMT112S6DFR8C-G7。描述及对比如下:
型号 HMT125S6DFR8C-G7 HMT125S6DFR8C-H9 HMT112S6DFR8C-H9 HMT112S6DFR8C-G7
描述 DDR DRAM, 256MX64, 20ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 DDR DRAM, 256MX64, 20ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 DDR DRAM, 128MX64, 20ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 DDR DRAM, 128MX64, 20ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 DMA DMA DMA DMA
包装说明 DIMM, DIMM204,24 DIMM, DIMM204,24 DIMM, DIMM204,24 DIMM, DIMM204,24
针数 204 204 204 204
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 533 MHz 667 MHz 667 MHz 533 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N204 R-XDMA-N204 R-XDMA-N204 R-XDMA-N204
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1
长度 67.6 mm 67.6 mm 67.6 mm 67.6 mm
内存密度 17179869184 bit 17179869184 bit 8589934592 bit 8589934592 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 204 204 204 204
字数 268435456 words 268435456 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 256000000 256000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 256MX64 256MX64 128MX64 128MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM204,24 DIMM204,24 DIMM204,24 DIMM204,24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
电源 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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