200 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
厂商名称:Microsemi
厂商官网:https://www.microsemi.com
下载文档型号 | HU20130_11 | HU20130 | HU20140 | HU20150 |
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描述 | 200 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 200 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 200 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 200 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | - | Microsemi | Microsemi | Microsemi |
Reach Compliance Code | - | unknow | unknow | unknow |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
应用 | - | ULTRA FAST RECOVERY | ULTRA FAST RECOVERY | ULTRA FAST RECOVERY |
外壳连接 | - | CATHODE | CATHODE | CATHODE |
配置 | - | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | - | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | - | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | - | R-XUFM-X1 | R-XUFM-X1 | R-XUFM-X1 |
最大非重复峰值正向电流 | - | 2500 A | 2500 A | 2500 A |
元件数量 | - | 1 | 1 | 1 |
相数 | - | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | - | 1 | 1 | 1 |
最高工作温度 | - | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
最低工作温度 | - | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
最大输出电流 | - | 200 A | 200 A | 200 A |
封装主体材料 | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | - | 300 V | 400 V | 500 V |
最大反向恢复时间 | - | 0.11 µs | 0.11 µs | 0.11 µs |
表面贴装 | - | NO | NO | NO |
端子形式 | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | - | UPPER | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |