HY57V1294020LTC-10S,HY57V1294020LTC-10S pdf中文资料,HY57V1294020LTC-10S引脚图,HY57V1294020LTC-10S电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与HY57V1294020LTC-10S相近的元器件有：HY57V1294020TC-75、HY57V1294020TC-10、HY57V1294020TC-10S、HY57V1294020TC-10P、HY57V1294020TC-8、HY57V1294020LTC-10、HY57V1294020LTC-10P、HY57V1294020LTC-75、HY57V1294020LTC-8。描述及对比如下：

型号	HY57V1294020LTC-10S	HY57V1294020TC-75	HY57V1294020TC-10	HY57V1294020TC-10S	HY57V1294020TC-10P	HY57V1294020TC-8	HY57V1294020LTC-10	HY57V1294020LTC-10P	HY57V1294020LTC-75	HY57V1294020LTC-8
描述	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数	54	54	54	54	54	54	54	54	54	54
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	5.4 ns	8 ns	6 ns	6 ns	6 ns	8 ns	6 ns	5.4 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	133 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	125 MHz	100 MHz	100 MHz	133 MHz	125 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	54	54	54	54	54	54
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX4	32MX4	32MX4	32MX4	32MX4	32MX4	32MX4	32MX4	32MX4	32MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A
最大压摆率	0.27 mA	0.27 mA	0.25 mA	0.27 mA	0.27 mA	0.27 mA	0.25 mA	0.27 mA	0.27 mA	0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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联发科引爆四核战　蔡明介王者再临

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便携电子设备守护神! 维安01005系列ESD产品：小身体大能力

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机器人大厨来了能炒100多道菜

昨天，全国主食加工产业科技创新联盟展会在友谊宫举行。展会上，哈工大机器人集团与发现者机器人公司共同投资开发的炒菜机器人成为全场焦点。展会上的炒菜机器人人们只要在机器人身上的液晶触屏上选好自己想吃的菜肴，然后再把切好的食材放到机器人手中的饭盆里，机器人就会自己开始炒菜：倒油、投菜、翻炒，添加盐、酱油、醋等佐料……当菜炒好后，机器人会把炒好的菜自动装进托盘中。这款机器人可以满足不同人的不同口...[详细]
智能手机芯战争：高通或已错过最好时机

或许这场智能手机领域的芯片战争，正是智能手机厂商们期待已久的。　　昔日，小米手机是高通阵营中一员猛将，第一代小米手机采用高通1.5G双核芯片，祭出了宣称“性能最强”智能手机的大旗，将智能手机芯片参数这一原本较为后台的概念带到消费者眼前。　　在小米手机问世前，高通就已经在业内声名大噪，各类高端智能手机几乎都配有一颗“高通芯”。小米手机上市后不久，2013年3月高通在中国正式发布了其旗舰移动处...[详细]
中华映管,赢创推出液态金属氧化物半导体iXsenic®LCD显示屏

在旧金山举办的2016年显示周（Display Week）交易会期间，德国特种化工公司赢创工业集团与台湾显示器制造商中华映管（CPT）公司联合展出了一款增强型LCD显示屏，其内部使用iXsenic 金属氧化物半导体。赢创iXsenic 是一种在室温下液态可加工的无机金属氧化物半导体，主要应用于显示器行业，由赢创资源效率业务板块推出。该产品无须於真空环境操作，因此可实现工艺简化、高产量和低成...[详细]
机器人行业10大融资动态汇总

2020年即将过去。在这不平凡的一年里，虽然全球各国的经济发展都不同程度受到了影响，但是人工智能、云计算、、机器人等前沿产业逆势向上，取得了积极的市场表现。这一年来，机器人行业化危为机，进一步推动各类机器人产品向工业、生活领域普及。在这一背景下，机器人产业发展受到更多关注，市场融资活动依然频繁，体现出资本对于机器人的“偏爱”一如既往。据不完全统计，今年仅国内媒体公开报道的融资事件就超过...[详细]
SiGe推出世界最小的双天线输入GPS接收IC

SiGe 半导体公司现已推出具有双天线输入功能的 GPS 无线电接收器，型号为 SE4150L ，是专为下一代 GPS 系统而开发的。 SE4150L 经过特别设计，不但能解决与嵌入式 GPS 应用相关的三大主要难题：小尺寸，低功耗和低价格，而且还提高了性能水平。 SE4150L 采用低侧高 4x4...[详细]
EM78系列单片机在红外遥控系统中的应用

1 EM78P447S的主要特点 EM78系列单片机是台湾义隆电子股份有限公司采用CMOS工艺制造的8位高性价比单片机。该系列单片机一般都内置看门狗计数器(WDT)、RAM、ROM、可编程定时／计数器、预分频器以及5层堆栈。该系列器件的绝大部分指令只需两个振荡周期，同时具有内外部中断、低电压检测复位、可编程I／0、内部上拉电阻和集电极开路输出、SLEEP方式等功能。另外，EM78P447S...[详细]
stm32专题十四：存储器介绍

存储器通常分为易失性存储器（RAM - random access memory）和非易失性存储器（ROM - read only memory）易失性存储器 SRAM：Static Random Access Memory（静态随机存储器），基本的存储单元由SR锁存器组成，不需要定时刷新。 DRAM：Dynamic Random Access Memory（静态随机存储器），由电...[详细]
搜狐视频上线纪录片《突袭最强战队》

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OLED电视国内市场潜力巨大创维积极布局

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我国首个电动汽车智慧充换电示范区在江苏建成

3月4日，我国首个电动汽车智慧充换电示范区在江苏建成。示范区通过对充电基础设施软硬件升级改造，实现新能源汽车、充换电站、城市电网三方高效互动，提升充电桩使用效率。示范区覆盖江苏苏州、无锡、常州三地，将新建21座充换电站、近300个充电桩。依托智能算法， ... ...[详细]
首台锗锡电注入激光器研制成功，极大降低成本

在美国空军科学研究办公室的赞助下，阿肯色大学、亚利桑那州立大学和半导体设备制造商 Arktonics 公司等合作开发了第一种锗锡材料制成的电注入激光器（二极管激光器），其微处理速度和效率显著提高，且成本较低。由电气工程教授余水清（音译）领导的材料科学研究人员展示了第一台用锗锡制成的电注入激光器，可在提高微加工速度和效率的同时，极大降低成本。该激光器可在高达 100K 的脉冲条件，或者零下 ...[详细]
Beats Studio Buds解密这次出现在一首MV中

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低价版苹果 Vision Pro 量产时间已被推迟到 2027 年以后

低价版 Vision Pro 的量产时间被递延到 2027 年之后已有一段时间。郭明錤称，也就是说，2025 年苹果的新款头戴显示设备仅会有处理器升级到 M5 的 Vision Pro。郭明錤认为，苹果推迟低价版 Vision Pro 量产的主要原因是，单纯降低价格并不能帮助创造成功的用例，就像 HomePod 销售不如预期后，即便推出低价版 HomePod mini 也无法让苹果智能音...[详细]