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HYB18T1G400AC-3

DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
零件包装代码
DSBGA
包装说明
FBGA,
针数
68
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-PBGA-B68
长度
20 mm
内存密度
1073741824 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
68
字数
268435456 words
字数代码
256000000
工作模式
SYNCHRONOUS
组织
256MX4
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与HYB18T1G400AC-3相近的元器件有:HYB18T1G400AC-3S、HYB18T1G160AC-3、HYB18T1G160AC-3S、HYB18T1G800AC-3S、HYB18T1G800AC-3。描述及对比如下:
型号 HYB18T1G400AC-3 HYB18T1G400AC-3S HYB18T1G160AC-3 HYB18T1G160AC-3S HYB18T1G800AC-3S HYB18T1G800AC-3
描述 DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68 DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68 DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA92, 10 X 20 MM, MO-207DL-Z, FBGA-92 DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA92, 10 X 20 MM, MO-207DL-Z, FBGA-92 DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68 DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 DSBGA DSBGA DSBGA DSBGA DSBGA DSBGA
包装说明 FBGA, FBGA, FBGA, FBGA, FBGA, FBGA,
针数 68 68 92 92 68 68
Reach Compliance Code compliant unknown compliant unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B68 R-PBGA-B68 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92 R-PBGA-B68 R-PBGA-B68
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 4 4 16 16 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 68 68 92 92 68 68
字数 268435456 words 268435456 words 67108864 words 67108864 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 256000000 256000000 64000000 64000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 256MX4 256MX4 64MX16 64MX16 128MX8 128MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm
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