HYB25DC512800CF-5,HYB25DC512800CF-5 pdf中文资料,HYB25DC512800CF-5引脚图,HYB25DC512800CF-5电路-Datasheet-电子工程世界

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D a t a S h e e t , Rev. 1.10, O c t . 2 0 0 5

HYB25DC512800C[E/F]

HYB25DC512160C[E/F]

512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM

DDR SDRAM

RoHS Compliant Products

Memory Products

N e v e r

s t o p

t h i n k i n g .

Edition

2005-10

Published by Infineon Technologies AG,

St.-Martin-Strasse 53,

81669 München, Germany

Infineon Technologies AG 2005.

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Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in

question please contact your nearest Infineon Technologies Office.

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approval of Infineon Technologies, if a failure of such components can reasonably be expected to cause the failure

of that life-support device or system, or to affect the safety or effectiveness of that device or system. Life support

devices or systems are intended to be implanted in the human body, or to support and/or maintain and sustain

and/or protect human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user or other persons may

be endangered.

HYB25DC512800C[E/F], HYB25DC512160C[E/F]

Revision History:

2005-10, Rev. 1.10

Previous Version:

Page

2005-08, Rev. 1.00

Subjects (major changes since last revision)

added product types HYB25DC512800C[E/F]-6 and HYB25DC512160C[E/F]-6

addded AC Timing Diagrams

added

currents DDR333

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HYB25DC512[800/160]C[E/F]

512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM

Table of Contents

1.1

1.2

2.1

2.2

2.2.1

2.2.2

2.2.3

2.2.4

2.3

2.3.1

2.3.2

2.4

2.5

2.5.1

2.5.2

2.5.3

2.5.4

2.5.5

2.5.6

2.6

3.1

3.2

3.3

3.4

3.4.1

Overview

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Pin Configuration

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Functional Description

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Mode Register Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Burst Length . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Burst Type . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Read Latency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Operating Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Extended Mode Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DLL Enable/Disable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Output Drive Strength . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Bank/Row Activation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Reads . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Writes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Precharge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Power-Down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Input Clock Frequency Change . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Simplified State Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Electrical Characteristics

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Normal Strength Pull-down and Pull-up Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Weak Strength Pull-down and Pull-up Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

AC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Current Measurement Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Timing Diagrams

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

System Characteristics for DDR SDRAMs

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

Package Outlines

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85

Data Sheet

Rev. 1.10, 2005-10

HYB25DC512[800/160]C[E/F]

512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM

List of Tables

Table 1

Table 2

Table 1

Table 2

Table 3

Table 4

Table 6

Table 5

Table 8

Table 7

Table 9

Table 10

Table 11

Attention:

Table 12

Table 14

Table 13

Table 15

Table 17

Table 16

Table 17

Table 18

Table 19

Table 20

Table 21

Table 22

Table 23

Table 24

Table 25

Performance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Ordering Information for Lead-Free(RoHS Compliant Products) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Pin Configuration of DDR SDRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Abbreviations for Pin Type . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Abbreviations for Buffer Type . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Burst Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Truth Table 1b: DM Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Truth Table 1a: Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Truth Table 3: Current State Bank n - Command to Bank n (same bank) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Truth Table 2: Clock Enable (CKE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Truth Table 4: Current State Bank n - Command to Bank m (different bank). . . . . . . . . . . . . . . . . 54

Truth Table 5: Concurrent Auto Precharge. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

Input and Output Capacitances . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

Electrical Characteristics and DC Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

Pull-down and Pull-up Process Variations and Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

Normal Strength Pull-down and Pull-up Currents. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

Weak Strength Driver Pull-down and Pull-up Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62

AC Timing - Absolute Specifications for DDR400B and DDR333 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64

AC Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64

Specification and Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

Specification for HYB25DC512[800/160C[E/F]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

Input Slew Rate for DQ, DQS, and DM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

Input Setup & Hold Time Derating for Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

Input/Output Setup and Hold TIme Derating for Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

Input/Output Setup and Hold Derating for Rise/Fall Delta Slew Rate. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

Output Slew Rate Characteristrics (×8 Devices only). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83

Output Slew Rate Characteristics (×16 Devices only) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83

TFBGA Common Package Properties (non-green/green) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85

Data Sheet

Rev. 1.10, 2005-10

参数对比

与HYB25DC512800CF-5相近的元器件有：HYB25DC512160CE-6、HYB25DC512800CF-6、HYB25DC512160CF-6、HYB25DC512800CE-6、HYB25DC512160CE-5、HYB25DC512160CF-5、HYB25DC512800CE-5。描述及对比如下：

型号	HYB25DC512800CF-5	HYB25DC512160CE-6	HYB25DC512800CF-6	HYB25DC512160CF-6	HYB25DC512800CE-6	HYB25DC512160CE-5	HYB25DC512160CF-5	HYB25DC512800CE-5
描述	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	BGA	TSOP2	BGA	BGA	TSOP2	TSOP2	BGA	TSOP2
包装说明	TBGA,	TSSOP,	TBGA,	TBGA,	TSSOP,	TSSOP,	TBGA,	TSSOP,
针数	60	66	60	60	66	66	60	66
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PDSO-G66	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PBGA-B60	R-PDSO-G66
长度	12 mm	22.22 mm	12 mm	12 mm	22.22 mm	22.22 mm	12 mm	22.22 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	16	8	16	8	16	16	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	60	66	60	60	66	66	60	66
字数	67108864 words	33554432 words	67108864 words	33554432 words	67108864 words	33554432 words	33554432 words	67108864 words
字数代码	64000000	32000000	64000000	32000000	64000000	32000000	32000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64MX8	32MX16	64MX8	32MX16	64MX8	32MX16	32MX16	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TSSOP	TBGA	TBGA	TSSOP	TSSOP	TBGA	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING
端子节距	1 mm	0.65 mm	1 mm	1 mm	0.65 mm	0.65 mm	1 mm	0.65 mm
端子位置	BOTTOM	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	DUAL	BOTTOM	DUAL
宽度	10 mm	10.16 mm	10 mm	10 mm	10.16 mm	10.16 mm	10 mm	10.16 mm

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海信公布的互联网电视大数据显示，1月20日—2月18日，海信互联网电视平均家庭日活达到2490万，远远超过除夕这一传统收视高峰的日活数。同时，与疫情相关的新闻专题和影视剧颇受关注，“武汉”成AI语音搜索关键词，充分说明非常时期疫情进展广受关注。在今年这个史上最长春节假期里，鼠年除夕夜，海信互联网电视云平台聚好看活跃家庭突破2200万，同比增长60%。而在1月20日—2月18日共计30天的时...[详细]
黄金新十年来临，人工智能将面临哪些机遇与挑战？

　　全国两会闭幕， “人工智能”依然是热议话题，不过今年意义却大不一样，十三届全国人大四次会议表决通过十四五规划纲要，智能经济被寄予厚望。2021年很可能会是智能经济的一道分水岭。　　2021年，智能经济分水岭　　自2016年以来，两会上关于人工智能的声音就越来越多。2017年两会上，百度CEO李彦宏提交的三份提案就均与AI相关，科大讯飞CEO董事长刘庆峰则提议将“智能+”上升为国家战略...[详细]
友善之臂Micro2440下的Embedded Linux中Java遇到的问题

最近在做一个项目中使用了友善之臂Micro2440，其中系统使用的是Embedded Linux。遇到了一个问题，就是程序运行非常的缓慢。开始以为是读写文件的问题，于是测试过将数据写到excel中、sqlite数据库中、csv文件中，结果都是不行。也曾经以为是JVM的内存不够，后来设置-Xms16m -Xmx32m，结果还是不行。最后经过测试发现，居然是SimpleDateFormat s...[详细]
市民不知金融IC卡芯片未来将一卡多用

笔者发现，目前已发的金融IC卡，均为磁条芯片复合卡，大多数商户的收银人员对金融IC卡仍在使用“刷卡”的方式进行操作，其安全性能大打折扣。　　笔者持建行的金融IC卡在多家超市购物，大多数收银员接过银行卡后，通常不进行辨别，而是习惯性地进行刷卡操作，只是在记者的提醒或要求之下，才会选择读取芯片。有的收银员甚至会反问：“刷磁条不是一样吗？”银行相关人士表示，金融IC卡“刷”磁条消费，实际...[详细]
高通第五代LTE Modem 最高可达450Mbps

LTE Cat.10 Modem 可以带来 450Mbps 的速度，但... 哪里一家电信商可以支持？ Qualcomm 宣布第 5 代 LTE 多模 Modem Qualcomm Gobi 9x45，其下载速度最高可以到 450Mbps，另外还有第二代 Qualcomm RF360 封包追踪器，QFE3100。 Gobi 9x45 Modem 是第一款 Cat. 10 规范的产品，它支...[详细]
两种高频CMOS压控振荡器的设计与研究

锁相环在通讯技术中具有重要的地位，在调制、解调、时钟恢复、频率合成中都扮演着不可替代的角色。可控振荡器是锁相环的核心部分。最近，鉴于对集成电路低功耗和高集成度的追求，越来越多的研究人员投人到基于CMOS工艺的压控振荡器的设计。环形压控振荡器因为具有宽的调谐范围和小的芯片面积，在电路的精心设计下也可以具有不错的相位噪声性能，从而在数字通信系统中得到广泛的应用。而随着CMOS工艺特征尺寸的不断...[详细]
不仅刷脸发厕纸，人脸识别技术还有什么用？

想必这几天，不少人都被一条「天坛公园靠人脸识别发厕纸」的新闻刷了屏。据说是因为要解决游客过度使用公厕厕纸问题，天坛公园推出了「人脸识别厕纸机」，只有当你「刷脸成功」才能获得厕纸，想要通过这种方式解决同一个人反复取纸的问题，一些国外媒体也纷纷来凑热闹报道了这件事。　　毫无疑问，在我们生活中，人脸识别技术被应用的越来越广泛了，不论是门禁、考勤系统，还是支付安全、生活娱乐应用等，都开始加入这种先进的...[详细]
山东肥城地下盐穴变身储能“聚宝盆”

电站每小时能发电1万度，可满足4500户居民一天的用电需要。中储国能（山东）电力能源有限公司项目经理侯虎灿介绍说，在山东肥城经济开发区，有一个由盐穴改造的大型充电宝——肥城10MW先进盐穴压缩空气储能国家示范电站。该电站每年可发电1320万千瓦 ... ...[详细]
ChatGPT算力成本巨大，成为云厂商的一大门槛，大厂如何选择

导读：没有足够的高性能数量，或者性能欠佳，都将造成推理和模型训练的准确度不足，即使有类似的对话，它的“智商”也会远低于ChatGPT 国内云厂商高性能GPU的短缺，正在成为限制生成式AI在中国诞生的最直接因素。 2022年12月，微软投资的AI创业公司OpenAI推出了聊天机器人ChatGPT。这是生成式在文本领域的实际应用。所谓生成式AI，是指依靠AI大模型和AI算力训练...[详细]
JTAG和SWD的禁用配置及无法下载问题解决

第一部分 JTAG和SWD禁用配置我们使用单片机开发产品会用到JTAG或SWD接口，由于硬件资源的限制，需要复用这些IO口第二部分无法下载程序解决 1.完全复用了JTAG和SWD接口情况下，想要修改程序？ 1）目前两种方案：方案一：一般PCB肯定会引出复位引脚，可以先按keil的下载按钮，然后迅速按下PCB的复位按钮，一般可下载成功。方案二：改变BOOT0接到3.3...[详细]
基于FPGA控制的温度检测无线发射接收系统

　　摘要：本文介绍基于FPGA控制的温度检测无线发射接收系统。本系统采甩EPlKl000C208-3作为控制核心，系统比较温度是否超出人体最佳温度范围，如果过高则发出降温信号，如果过低则发出升温信号；得出需要加温还是降温的信号后通过无线将信号发射到接收电路，接收电路接收到编码过的信号后对信号解码，最终再得到加温还是降温信号，再将此信号加上驱动放大后则可以驱动步进电机等(本设计用发光二极管代替步进...[详细]
开启TekHSI高速接口功能，加速波形数据远程传输

自v2.10版本开始TekScope软件及泰克示波器（如4B系列MSO）引入了TekHSI高速接口技术，利用该项技术您可以以最高比SCPI快10倍的速度传输波形。这是因为SCPI标准的Curve和Curvestream的性能取决于仪器的具体实现，而TekHSI已经过优化，专为高性能和可扩展性而设计。TekHSI采用了优化的二进制协议，专用于高速数据传输。在示波器上启用TekHSI 要...[详细]