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HYM594000BM-70

Fast Page DRAM Module, 4MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SK Hynix(海力士)

厂商官网:http://www.hynix.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SK Hynix(海力士)
零件包装代码
SIMM
包装说明
SIMM, SIM30
针数
30
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
70 ns
其他特性
RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XSMA-N30
内存密度
37748736 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度
9
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
30
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX9
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
SIMM
封装等效代码
SIM30
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
2048
座面最大高度
15.24 mm
最大待机电流
0.003 A
最大压摆率
0.325 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
2.54 mm
端子位置
SINGLE
Base Number Matches
1
参数对比
与HYM594000BM-70相近的元器件有:HYM594000BLM-60、HYM594000BLM-70、HYM594000BM-60。描述及对比如下:
型号 HYM594000BM-70 HYM594000BLM-60 HYM594000BLM-70 HYM594000BM-60
描述 Fast Page DRAM Module, 4MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 4MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 4MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 4MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30
针数 30 30 30 30
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 70 ns 60 ns 70 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30
内存密度 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 9 9 9 9
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 30 30 30 30
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX9 4MX9 4MX9 4MX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM
封装等效代码 SIM30 SIM30 SIM30 SIM30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048 2048
座面最大高度 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
最大待机电流 0.003 A 0.001 A 0.001 A 0.003 A
最大压摆率 0.325 mA 0.37 mA 0.325 mA 0.37 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1 1 1
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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