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HYS72V32200GR-8B

Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168

器件类别:存储   

厂商名称:SIEMENS

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SIEMENS
零件包装代码
DIMM
包装说明
,
针数
168
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
访问模式
SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间
6 ns
JESD-30 代码
R-XDMA-N168
内存密度
4831838208 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度
72
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
168
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
64MX72
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
参数对比
与HYS72V32200GR-8B相近的元器件有:HYS72V16200GR-8B、NT5S26400FS14、NTHS0603N06N2701JR、HYS72V32220GR-8、HYS72V32220GR-8B、HYS72V128220GR-8、HYS72V128220GR-8B、HYS72V8200GR-8B。描述及对比如下:
型号 HYS72V32200GR-8B HYS72V16200GR-8B NT5S26400FS14 NTHS0603N06N2701JR HYS72V32220GR-8 HYS72V32220GR-8B HYS72V128220GR-8 HYS72V128220GR-8B HYS72V8200GR-8B
描述 Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 RESISTOR, METAL FILM, 0.5 W, 1 %, 15 ppm, 2640 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT NTC Thermistor, 2700ohm, Surface Mount, CHIP, 0603 Synchronous DRAM Module, 32MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 32MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown compliant unknown unknown unknown unknown unknown
端子数量 168 168 2 2 168 168 168 168 168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR TUBULAR PACKAGE RECTANGULAR PACKAGE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
表面贴装 NO NO NO YES NO NO NO NO NO
厂商名称 SIEMENS SIEMENS - - SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS
零件包装代码 DIMM DIMM - - DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
针数 168 168 - - 168 168 168 168 168
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST - - DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns - - 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 - - R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 4831838208 bit 1207959552 bit - - 2415919104 bit 2415919104 bit 4831838208 bit 4831838208 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE - - SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 72 72 - - 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 - - 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 - - 1 1 1 1 1
字数 67108864 words 16777216 words - - 33554432 words 33554432 words 67108864 words 67108864 words 8388608 words
字数代码 64000000 16000000 - - 32000000 32000000 64000000 64000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 155 °C - 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64MX72 16MX72 - - 32MX72 32MX72 64MX72 64MX72 8MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V - - 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V - - 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V - - 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
技术 CMOS CMOS METAL FILM - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD - - NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL - DUAL ENDED DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
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