IDT71B589S10Y,IDT71B589S10Y pdf中文资料,IDT71B589S10Y引脚图,IDT71B589S10Y电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与IDT71B589S10Y相近的元器件有：IDT71B589S10Y8、IDT71B589S12Y、IDT71B589S12Y8、IDT71B589S14Y、IDT71B589S14Y8。描述及对比如下：

型号	IDT71B589S10Y	IDT71B589S10Y8	IDT71B589S12Y	IDT71B589S12Y8	IDT71B589S14Y	IDT71B589S14Y8
描述	Cache SRAM, 32KX9, 10.5ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Cache SRAM, 32KX9, 10.5ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Cache SRAM, 32KX9, 12ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Cache SRAM, 32KX9, 12ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Cache SRAM, 32KX9, 14ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Cache SRAM, 32KX9, 14ns, BICMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32	SOJ,	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32	SOJ,	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32	SOJ,
针数	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	not_compliant	unknown	not_compliant	unknown	not_compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	10.5 ns	10.5 ns	12 ns	12 ns	14 ns	14 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20.96 mm	20.96 mm	20.96 mm	20.96 mm	20.96 mm	20.96 mm
内存密度	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	9	9	9	9	9	9
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX9	32KX9	32KX9	32KX9	32KX9	32KX9
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

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紫光国微：公司DRAM芯片与三星有很大差距，DDR4仍是主流产品

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小容量电源变压器如何检测？

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超声波和激光雷达在机器人避障中的应用

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微软名列 Linux Kernel 贡献榜单第 17 位

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灵明光子完成了B1轮融资，深耕高性能dToF深度传感器芯片

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苹果公司收购低功耗芯片制造商Passif

北京时间8月2日凌晨消息，据《华尔街日报》前记者杰西卡•莱辛(Jessica Lessin)透露，苹果(456.68,4.15,0.92%)公司已收购位于硅谷的低功耗无线芯片制造商Passif。 Passif专注于研发低功耗通信芯片，并拥有一项叫做Bluetooth LE的技术，该技术支持低功耗蓝牙功能，非常适用于需要超长电池寿命的健康追踪及健身类设备。莱辛表示，苹果公司目前正在开发此...[详细]
上海集成电路从产业去年产值突破千亿

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苹果推蓝宝石面板手机安卓阵营跟进

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测试STM32F4中断向量表移到内部RAM对中断响应速度的影响

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贯穿客户端和数据中心的全新体验

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PIC单片机用CCP1模块产生10位PWM波形程序

//该程序用于使CCP1模块产生分辨率为10位的PWM波形，占空比为50% #include p18f452.h void CCP1NIT(void) { CCPR1L=0x7f; CCP1CON=0x3c; //设置CCP1模块为PWM工作方式，且其工作 //循环的低2位为11，高8位为01111111=7F //高电平时间=(CCPR1L:CCP1CON 5:4 )*...[详细]
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摘要：本文主要介绍利用SPMC75单片机产生SVPWM的方法。关键词：SPMC75、SVPWM、SPWM 1.1 前言　　随着计算机技术和电力电子技术的发展，变频驱动技术凭借其优异的性能，在当今交流调速领域的应用越来越广。　　变频驱动主要使用的驱动波形主要有SPWM和SVPWM两种。SPWM原理简单、实现容易，是现在使用最广的一种变频驱动波形。但其有一个致命的弱点是其电源利用率不高（只有...[详细]
瑞萨携多款先进解决方案再次亮相第七届中国国际进口博览会

2024 年 10 月 28 日，中国上海讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，将携多款面向智能工业、物联网、汽车电子以及软件开发平台的先进解决方案，再次亮相第七届中国国际进口博览会（以下简称：进博会）。第七届进博会将于11月5日至10日在国家会展中心（上海）举行，瑞萨电子展位号：4.1号馆，A0-02展位。自2022年开始瑞萨已经连续三年积极投身进博会，始终本着“To Make ...[详细]