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IH5050MJE/883B

SPDT, 1 Func, 1 Channel, CMOS, CDIP16, CERDIP-16

器件类别:模拟混合信号IC    信号电路   

厂商名称:Maxim(美信半导体)

厂商官网:https://www.maximintegrated.com/en.html

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Maxim(美信半导体)
零件包装代码
DIP
包装说明
CERDIP-16
针数
16
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
模拟集成电路 - 其他类型
SPDT
JESD-30 代码
R-GDIP-T16
JESD-609代码
e0
湿度敏感等级
1
标称负供电电压 (Vsup)
-15 V
信道数量
1
功能数量
1
端子数量
16
标称断态隔离度
54 dB
通态电阻匹配规范
8 Ω
最大通态电阻 (Ron)
40 Ω
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
输出
SEPARATE OUTPUT
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP16,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
240
电源
5,+-15 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883 Class B
座面最大高度
5.08 mm
标称供电电压 (Vsup)
15 V
表面贴装
NO
最长断开时间
200 ns
最长接通时间
400 ns
切换
BREAK-BEFORE-MAKE
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
7.62 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与IH5050MJE/883B相近的元器件有:IH5048AMJE/883B、IH5048MJE/883B。描述及对比如下:
型号 IH5050MJE/883B IH5048AMJE/883B IH5048MJE/883B
描述 SPDT, 1 Func, 1 Channel, CMOS, CDIP16, CERDIP-16 SPST, 2 Func, 2 Channel, CMOS, CDIP16, CERDIP-16 SPST, 2 Func, 1 Channel, CMOS, CDIP16, CERDIP-16
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体)
零件包装代码 DIP DIP DIP
包装说明 CERDIP-16 CERDIP-16 CERDIP-16
针数 16 16 16
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
模拟集成电路 - 其他类型 SPDT SPST SPST
JESD-30 代码 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16
JESD-609代码 e0 e0 e0
湿度敏感等级 1 1 1
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -15 V
信道数量 1 2 1
功能数量 1 2 2
端子数量 16 16 16
标称断态隔离度 54 dB 54 dB 54 dB
通态电阻匹配规范 8 Ω 8 Ω 8 Ω
最大通态电阻 (Ron) 40 Ω 40 Ω 40 Ω
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
输出 SEPARATE OUTPUT SEPARATE OUTPUT SEPARATE OUTPUT
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240
电源 5,+-15 V 5,+-15 V 5,+-15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 Class B 38535Q/M;38534H;883B MIL-STD-883 Class B
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V
表面贴装 NO NO NO
最长断开时间 200 ns 200 ns 200 ns
最长接通时间 400 ns 400 ns 400 ns
切换 BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 1
ECCN代码 EAR99 - EAR99
正常位置 - NO NO
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