IRF440-443,IRF440-443 pdf中文资料,IRF440-443引脚图,IRF440-443电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

端子数量

最小击穿电压

500 V

状态

TRANSFERRED

包装形状

矩形的

包装尺寸

凸缘安装

端子形式

THROUGH-孔

端子涂层

锡铅

端子位置

单一的

包装材料

塑料/环氧树脂

结构

单一的

壳体连接

DRAIN

元件数量

晶体管应用

开关

晶体管元件材料

硅

通道类型

N沟道

场效应晶体管技术

金属-OXIDE SEMICONDUCTOR

操作模式

ENHANCEMENT

晶体管类型

通用电源

最大漏电流

8 A

最大漏极导通电阻

0.8500 ohm

最大漏电流脉冲

32 A

参数对比

与IRF440-443相近的元器件有：MTM7N50、MTM7N45、IRF440、IRF441、IRF442、IRF443、IRF842、IRF841、IRF843。描述及对比如下：

型号	IRF440-443	MTM7N50	MTM7N45	IRF440	IRF441	IRF442	IRF443	IRF842	IRF841	IRF843
描述	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.98 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
端子数量	3	3	3	-	3	3	3	-	3	3
最小击穿电压	500 V	500 V	500 V	-	500 V	500 V	500 V	-	-	500 V
状态	TRANSFERRED	TRANSFERRED	TRANSFERRED	-	TRANSFERRED	TRANSFERRED	TRANSFERRED	-	-	TRANSFERRED
包装形状	矩形的	矩形的	矩形的	-	矩形的	矩形的	矩形的	-	-	矩形的
包装尺寸	凸缘安装	凸缘安装	凸缘安装	-	凸缘安装	凸缘安装	凸缘安装	-	-	凸缘安装
端子形式	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	-	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-孔
端子涂层	锡铅	锡铅	锡铅	-	锡铅	锡铅	锡铅	-	-	锡铅
端子位置	单一的	单一的	单一的	-	单一的	单一的	单一的	-	SINGLE	单一的
包装材料	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	-	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	-	-	塑料/环氧树脂
结构	单一的	单一的	单一的	-	单一的	单一的	单一的	-	-	单一的
壳体连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	-	DRAIN
元件数量	1	1	1	-	1	1	1	-	1	1
晶体管应用	开关	开关	开关	-	开关	开关	开关	-	SWITCHING	开关
晶体管元件材料	硅	硅	硅	-	硅	硅	硅	-	SILICON	硅
通道类型	N沟道	N沟道	N沟道	-	N沟道	N沟道	N沟道	-	-	N沟道
场效应晶体管技术	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	-	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	-	-	ENHANCEMENT
晶体管类型	通用电源	通用电源	通用电源	-	通用电源	通用电源	通用电源	-	-	通用电源
最大漏电流	8 A	8 A	8 A	-	8 A	8 A	8 A	-	-	8 A
最大漏极导通电阻	0.8500 ohm	0.8500 ohm	0.8500 ohm	-	0.8500 ohm	0.8500 ohm	0.8500 ohm	-	-	0.8500 ohm
最大漏电流脉冲	32 A	32 A	32 A	-	32 A	32 A	32 A	-	-	32 A